室溫工作將為光子型紅外探測開辟更廣泛的應(yīng)用,系統(tǒng)整理和分析了從近紅外到長波紅外的Ⅲ-Ⅴ族及Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體探測器的室溫性能,討論不同材料體系和器件結(jié)構(gòu)的室溫暗電流機制:其中InAs/GaSb等二類超晶格的短周期帶間級聯(lián)結(jié)構(gòu)以及HgCdTe抑制俄歇過程的方案在提升中長波紅外室溫探測性能方面都顯示出了獨特的優(yōu)勢。這些電子學(xué)結(jié)構(gòu)的設(shè)計與近年來亞波長光子結(jié)構(gòu)增強耦合、降低暗電流的新進展相結(jié)合,有望實現(xiàn)近室溫工作的高靈敏紅外探測。 

【文章來源】：紅外與毫米波學(xué)報. 2020,39(05)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：12 頁

【部分圖文】：

圖６?ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＴｅ探測器的像元平均暗電流（使用冷??屏）與溫度的關(guān)系，其中虛線為Ｒｕｌｅ－０７的理論值??Ｆｉｇ．?６?Ａｖｅｒａｇｅ?ｐｉｘｅｌ?ｄａｒｋ?ｃｕｒｒｅｎｔ?（ｗｉｔｈ?ｃｏｌｄ?ｓｈｉｅｌｄ）?ｖｓ?ｔｅｍ？??ｐｅｒａｔｕｒｅ?ｆｏｒ?２．?５?（ｉｍ?ｃｕｔｏｆｆ?ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＴｅ?ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ，??ｃ?

【參考文獻】：
期刊論文
[1]高性能短波紅外InGaAs焦平面探測器研究進展[J]. 邵秀梅,龔海梅,李雪,方家熊,唐恒敬,李淘,黃松壘,黃張成.  紅外技術(shù). 2016(08)



本文編號：3354198