基于鉭鈮酸鉀二次電光效應(yīng)的光束偏轉(zhuǎn)原理、器件及應(yīng)用
發(fā)布時間:2021-08-19 16:05
鉭鈮酸鉀(KTN)電光偏轉(zhuǎn)器件具有角度大、電壓低、無慣性和體積小等優(yōu)點,近年來獲得廣泛關(guān)注。回顧了國內(nèi)外KTN晶體器件及其應(yīng)用的研究現(xiàn)狀,闡述了基于該晶體空間電荷、組分梯度和溫度梯度的電光偏轉(zhuǎn)的基本原理,討論了器件的特征參數(shù)和偏轉(zhuǎn)性能的主要影響因素,介紹了幾種基于KTN電光偏轉(zhuǎn)的元器件及應(yīng)用實例,總結(jié)了目前需要解決的問題及未來的發(fā)展趨勢。
【文章來源】:激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2020,57(07)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:19 頁
【部分圖文】:
不同降溫速度下的二次電光系數(shù)隨溫度的變化[34]
式中:r33為鐵電相KTN晶體的線性電光系數(shù);ne為非常光的折射率。由(12)式可見,偏轉(zhuǎn)角度和偏轉(zhuǎn)速度取決于空間電荷密度和電荷遷移速度,與外加電壓無關(guān)。要提高電光偏轉(zhuǎn)的響應(yīng)速度,需提高溫度使晶體工作在真正的順電相,實驗證明采用這種方法可將偏轉(zhuǎn)速度從微秒級提高到納秒級。如圖10所示,在居里點為24℃的晶體上外加2000V的電壓,將工作溫度從26℃提高到31℃后,電光偏轉(zhuǎn)的響應(yīng)時間從1.5μs提高到了幾納秒。但是遠(yuǎn)離居里點在提高響應(yīng)速度的同時會導(dǎo)致二次電光系數(shù)大幅下降,偏轉(zhuǎn)角度減小,因此,如何平衡偏轉(zhuǎn)角度與響應(yīng)時間之間的關(guān)系,還有待于進(jìn)一步研究。3.3 分辨率(可分辨點數(shù))
要拓寬KTN偏轉(zhuǎn)器的應(yīng)用領(lǐng)域,需通過增大偏轉(zhuǎn)角度或減小光束發(fā)散角來提高其分辨率。第3.1節(jié)中提到的增大偏轉(zhuǎn)角度的幾種方法對于提高分辨率同樣有效,如Naganuma等[65]提出的在晶體入射端和出射端增加反射鏡的方法[圖8(a)]使分辨率提高到61。光束發(fā)散角的主要影響因素在于梯度折射率偏轉(zhuǎn)引起的光束畸變,根據(jù)(7)式,KTN晶體的折射率變化沿電場方向呈拋物線規(guī)律分布,Imai等[72]也用馬赫-曾德爾干涉技術(shù)從實驗上證明了這一點,因此,KTN晶體可看作是梯度折射率透鏡(GRIN),在光束偏轉(zhuǎn)的同時,使光束發(fā)生了會聚[圖12(a)],這種光束畸變會降低器件分辨率。Sasaki等[73]采用光束整形的方法,在晶體入射端和出射端各增加一個凹柱面鏡[圖12(b)],平行光入射后變?yōu)榘l(fā)散光,到晶體中間變?yōu)闀酃,在出射端恢?fù)成平行光,利用這種方法將KTN偏轉(zhuǎn)器的分辨率提高到原來的1.5倍。圖1 2 KTN偏轉(zhuǎn)光束追蹤效果[73]。(a)光束畸變;(b)光束整形
【參考文獻(xiàn)】:
博士論文
[1]雙光子軸向隨機(jī)掃描方法研究[D]. 杜睿.華中科技大學(xué) 2011
碩士論文
[1]用于三維成像激光雷達(dá)的鉭鈮酸鉀晶體研究[D]. 帖棟修.中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所) 2018
本文編號:3351716
【文章來源】:激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2020,57(07)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:19 頁
【部分圖文】:
不同降溫速度下的二次電光系數(shù)隨溫度的變化[34]
式中:r33為鐵電相KTN晶體的線性電光系數(shù);ne為非常光的折射率。由(12)式可見,偏轉(zhuǎn)角度和偏轉(zhuǎn)速度取決于空間電荷密度和電荷遷移速度,與外加電壓無關(guān)。要提高電光偏轉(zhuǎn)的響應(yīng)速度,需提高溫度使晶體工作在真正的順電相,實驗證明采用這種方法可將偏轉(zhuǎn)速度從微秒級提高到納秒級。如圖10所示,在居里點為24℃的晶體上外加2000V的電壓,將工作溫度從26℃提高到31℃后,電光偏轉(zhuǎn)的響應(yīng)時間從1.5μs提高到了幾納秒。但是遠(yuǎn)離居里點在提高響應(yīng)速度的同時會導(dǎo)致二次電光系數(shù)大幅下降,偏轉(zhuǎn)角度減小,因此,如何平衡偏轉(zhuǎn)角度與響應(yīng)時間之間的關(guān)系,還有待于進(jìn)一步研究。3.3 分辨率(可分辨點數(shù))
要拓寬KTN偏轉(zhuǎn)器的應(yīng)用領(lǐng)域,需通過增大偏轉(zhuǎn)角度或減小光束發(fā)散角來提高其分辨率。第3.1節(jié)中提到的增大偏轉(zhuǎn)角度的幾種方法對于提高分辨率同樣有效,如Naganuma等[65]提出的在晶體入射端和出射端增加反射鏡的方法[圖8(a)]使分辨率提高到61。光束發(fā)散角的主要影響因素在于梯度折射率偏轉(zhuǎn)引起的光束畸變,根據(jù)(7)式,KTN晶體的折射率變化沿電場方向呈拋物線規(guī)律分布,Imai等[72]也用馬赫-曾德爾干涉技術(shù)從實驗上證明了這一點,因此,KTN晶體可看作是梯度折射率透鏡(GRIN),在光束偏轉(zhuǎn)的同時,使光束發(fā)生了會聚[圖12(a)],這種光束畸變會降低器件分辨率。Sasaki等[73]采用光束整形的方法,在晶體入射端和出射端各增加一個凹柱面鏡[圖12(b)],平行光入射后變?yōu)榘l(fā)散光,到晶體中間變?yōu)闀酃,在出射端恢?fù)成平行光,利用這種方法將KTN偏轉(zhuǎn)器的分辨率提高到原來的1.5倍。圖1 2 KTN偏轉(zhuǎn)光束追蹤效果[73]。(a)光束畸變;(b)光束整形
【參考文獻(xiàn)】:
博士論文
[1]雙光子軸向隨機(jī)掃描方法研究[D]. 杜睿.華中科技大學(xué) 2011
碩士論文
[1]用于三維成像激光雷達(dá)的鉭鈮酸鉀晶體研究[D]. 帖棟修.中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所) 2018
本文編號:3351716
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