本文制備了不同摻雜濃度的多晶硅納米薄膜,研究了摻雜濃度對(duì)多晶硅納米薄膜壓阻和電學(xué)修正特性的影響。利用低壓化學(xué)氣相淀積法制備了不同摻雜濃度的多晶硅納米薄膜,摻雜濃度分別為1.0×10²⁰ cm^-3、2.0×10²⁰ cm^-3、4.1×10²⁰ cm^-3和7.1×10²⁰ cm^-3。利用應(yīng)變系數(shù)測(cè)量裝置對(duì)不同摻雜濃度多晶硅納米薄膜的應(yīng)變系數(shù)進(jìn)行了測(cè)量;利用恒流源和萬(wàn)用表測(cè)量不同摻雜濃度多晶硅納米薄膜的電學(xué)修正特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:多晶硅納米薄膜的應(yīng)變系數(shù)與摻雜濃度有關(guān),應(yīng)變系數(shù)范圍:33.38～38.41;利用電學(xué)方法能夠修正多晶硅納米薄膜的電阻,最大修正范圍可達(dá)15.4%。多晶硅納米薄膜具有較高的應(yīng)變系數(shù),適用于制作壓阻式傳感器;電學(xué)修正可用來(lái)調(diào)整多晶硅納米薄膜的電阻,進(jìn)而降低傳感器的失調(diào)。 

【文章來(lái)源】：傳感技術(shù)學(xué)報(bào). 2020,33(07)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

帶有多晶硅納米薄膜電阻的懸臂梁照片

應(yīng)變系數(shù)測(cè)量裝置如圖2所示。懸臂梁的末端被夾具固定,多晶硅納米薄膜電阻通過(guò)金屬鋁引線連接至萬(wàn)用表。通過(guò)在懸臂梁前段施加負(fù)載,同時(shí)測(cè)量多晶硅納米薄膜電阻阻值的變化,利用相應(yīng)的計(jì)算公式可獲得應(yīng)變系數(shù)。式(1)用來(lái)計(jì)算距離懸臂梁末端x位置的應(yīng)變?chǔ)?x),

利用應(yīng)變系數(shù)測(cè)量裝置、懸臂梁結(jié)構(gòu)、式(1)和式(2),測(cè)得多晶硅納米薄膜的應(yīng)變系數(shù)與摻雜濃度的關(guān)系如圖3所示。在圖3中,多晶硅納米薄膜具有較好的壓阻特性,應(yīng)變系數(shù)與摻雜濃度有關(guān),從33.38至38.41。當(dāng)摻雜濃度為1.0×1020 cm-3時(shí),應(yīng)變系數(shù)最大(38.41);當(dāng)摻雜濃度大于1.0×1020 cm-3時(shí),應(yīng)變系數(shù)與摻雜濃度弱相關(guān)。

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：3340129