超短激光脈沖的出現(xiàn)為研究強(qiáng)激光場中原子分子的超快動(dòng)力學(xué)過程提供了強(qiáng)大而有效的工具。近年來,人們對(duì)強(qiáng)激光場與物質(zhì)相互作用所產(chǎn)生的閾上電離、非次序雙電離、高次諧波等物理現(xiàn)象進(jìn)行了不斷地探索。雙色激光場技術(shù)作為研究強(qiáng)激光場原子分子動(dòng)力學(xué)的重要手段,是強(qiáng)場原子分子物理領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。一般大部分使用的雙色激光場是由一束基頻光（ω）和它的倍頻光（2ω）構(gòu)成的。在這種ω-2ω雙色激光場中,基頻光和倍頻光的相對(duì)相位是一個(gè)非常重要的參數(shù),其控制精度對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果具有至關(guān)重要的影響。為此人們對(duì)雙色激光場實(shí)驗(yàn)光路的穩(wěn)定性有著較高的需求。馬赫-曾德爾干涉儀可以獨(dú)立控制兩個(gè)干涉臂上光場的特性,是雙色激光場實(shí)驗(yàn)中的一種常用光路。然而,由于實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的影響,如振動(dòng)、溫度變化等,光在干涉儀兩個(gè)臂中會(huì)受到不同程度的干擾從而引入額外光程差,對(duì)雙色激光場相對(duì)相位的控制精度帶來不利的影響。為此本文基于主動(dòng)式抗振技術(shù)制定了馬赫-曾德爾干涉儀光路穩(wěn)定的方案。首先搭建了馬赫-曾德爾干涉儀光路,使用532nm的連續(xù)激光,讓其通過分束鏡后分別在干涉儀的兩個(gè)臂上傳播,產(chǎn)生的干涉條紋由CMOS相機(jī)進(jìn)行實(shí)時(shí)探測,然后通過快速傅里葉變換法獲取條紋... 

【文章來源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：72 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

激光脈寬壓縮的發(fā)展歷程

激光脈沖峰值功率提高的發(fā)展歷程

華 中 科 技 大 學(xué) 碩 士 學(xué) 位 論 文1.2 強(qiáng)激光場中原子分子的電離當(dāng)原子或者分子中的電子吸收光子能量大于電離能時(shí)，電子掙脫原子核的束縛而電離。著名的光電效應(yīng)[19]就是其中之一。在低光強(qiáng)的脈沖激光場中，電子吸收的能量往往遠(yuǎn)小于其自身的電離能而不能發(fā)生電離。隨著激光技術(shù)的發(fā)展，超短超強(qiáng)脈沖激光的出現(xiàn)實(shí)現(xiàn)了原子分子在強(qiáng)激光場中的電離。以氫原子為例，隨著激光強(qiáng)度的增加，圖 1-3 給出了三種不同的電離機(jī)制： 1012W/cm2~1013W/cm2：多光子電離（multi-photon ionization, MPI) 1013W/cm2~1014W/cm2：隧穿電離（tunnel ionization，TI） >1014W/cm2：越壘電離(over-the-barrier ionization，OTBI)


本文編號(hào)：3335284