隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,器件緊縮模型在微電子行業(yè)中扮演著越來越重要的角色,作為連結(jié)器件物理特性與工藝集成之間的橋梁,一個準(zhǔn)確、易于嵌入仿真軟件的器件模型變得極為關(guān)鍵。目前,硅基MOSFET的器件緊縮模型已經(jīng)發(fā)展的相當(dāng)成熟,其中包括BSIM系列模型和PSP模型已經(jīng)成為業(yè)界的主流選擇。而一些新興器件的緊縮模型卻仍然處在發(fā)展之中,本文將重點討論兩種新型的器件緊縮模型,包括負(fù)電容晶體管緊縮模型和漂移/擴散型憶阻器緊縮模型。針對這兩種器件,系統(tǒng)地展開了物理機制分析、理論建模、定性器件效應(yīng)仿真、實驗數(shù)據(jù)比對、模塊仿真和電路設(shè)計及優(yōu)化等工作,取得了以下研究成果。1.本文提出了一種基于表面勢的連續(xù)的鐵電負(fù)電容場效應(yīng)晶體管（NCFET）緊縮模型,該模型結(jié)合了多籌朗道理論、籌相互作用項、極化弛豫和半經(jīng)典玻耳茲曼輸運理論。首次得到了沒有任何經(jīng)驗擬合參數(shù)的表面勢的解析解。在此基礎(chǔ)上,考慮溫度和時間依賴性,導(dǎo)出了NCFET電流的顯式表達(dá)式。此外,所提出的模型在物理上包含了載流子散射和界面陷阱的影響,以捕獲可變的遷移率。模型結(jié)果與數(shù)值解和實驗結(jié)果吻合較好,驗證了模型的正確性。模型使用Verilog-A語言成功嵌入S... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：91 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

集成電路開發(fā)流程示意圖：緊湊模型是電路設(shè)計和工藝開發(fā)之間的窗口

(a)獨立鐵電層和帶有電阻和/或電容等非鐵元件堆疊結(jié)構(gòu)的極化強度和電壓

鐵電體的P-V滯回曲線


本文編號：3332360