基于憶阻器的異或門設(shè)計(jì)與應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2021-08-07 05:21
隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的飛速發(fā)展,邏輯電路在很多領(lǐng)域都發(fā)揮著重要的作用。在集成電路中,尤其是摩爾定律即將失效,為了有效的延續(xù)摩爾定律,電子電路對(duì)這些電路的性能提出了更高的要求。憶阻器的出現(xiàn),為解決這些問(wèn)題提供了契機(jī)。1971年美國(guó)華裔科學(xué)家蔡少棠教授首次提出憶阻器的概念。2008年惠普實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家研制出憶阻器物理實(shí)物,由此證實(shí)了憶阻器的物理存在。憶阻器是一種新生的納米級(jí)非線性的元件,與電阻、電容和電感并稱為四種基本無(wú)源元件。其以納米性、非線性、低功耗、非易失性等特點(diǎn)在基礎(chǔ)電路設(shè)計(jì)、集成電路設(shè)計(jì)、非易失性存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)和生物神經(jīng)突觸等方面得到了廣泛的運(yùn)用。本文簡(jiǎn)述了憶阻器的發(fā)展,介紹了憶阻器的惠普實(shí)驗(yàn)室模型和工作原理,分析了其相關(guān)特性和相關(guān)文獻(xiàn)的研究現(xiàn)狀,指出現(xiàn)有文獻(xiàn)中憶阻器在邏輯電路中運(yùn)用遇到的問(wèn)題,并針對(duì)這些問(wèn)題做了以下工作:提出基于憶阻器的異或門。僅僅用憶阻器暫時(shí)無(wú)法實(shí)現(xiàn)異或門,而憶阻器的結(jié)構(gòu)和CMOS工藝具有很強(qiáng)的兼容性,同時(shí)CMOS反相器的特性在邏輯電路中的特殊作用,因此提出了一種混合CMOS憶阻器的邏輯門電路方案。混合CMOS憶阻器的邏輯門電路無(wú)需時(shí)序操作,在摩爾定律的延續(xù)、計(jì)算機(jī)的運(yùn)...
【文章來(lái)源】:合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:69 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.1四種基本元件之間的關(guān)系圖??Fig?2.1?The?relationship?between?the?four?basic?components?diagram??
電流(電壓)方向的不同,摻雜區(qū)擴(kuò)張或縮小,即摻雜區(qū)和非摻雜區(qū)的長(zhǎng)(厚)??度發(fā)生變化,但是因?yàn)閮蓚(gè)區(qū)域的電導(dǎo)率不同,使得憶阻器的電阻值發(fā)生變化[18],??如圖2.2所示。??r<?D?-?,??I?i???-???-W-???I?{?I??■?|?■??〇——?Doped?Undoped??〇??^?Ti〇2??Undoped??_|?|_?[二〉-VW ̄??Doped??『r-}?^?-A^V-???——VW'-?J一AAA——???<Kc〇Jw/(D?<R〇fyrxv/D??圖2.?2?HP實(shí)驗(yàn)室憶阻器模型??Fig?2.2?HP?laboratory?memristor?model??上圖所示,設(shè)薄膜長(zhǎng)(厚)度為D,摻雜區(qū)的長(zhǎng)(厚)度為w,當(dāng)摻雜區(qū)占據(jù)??8??
為低阻態(tài),可認(rèn)為阻值為0。這是下文憶阻器表示邏輯狀態(tài)“0”和“1”的理??論基礎(chǔ)。??圖2.3所示是HP實(shí)驗(yàn)室給出的憶阻器伏安特性曲線。其中外加偏置電壓為正??弦電壓信號(hào):藍(lán)色曲線的是電壓,綠色曲線的是由此偏置電壓產(chǎn)??生的電流,紅色曲線為摻雜區(qū)長(zhǎng)(厚)度與總長(zhǎng)(厚)度比。憶阻器最大阻值與??最小阻值比:R〇FF/R〇N=160。圖中我們可以明顯的觀察以下幾個(gè)特點(diǎn):??1.
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]第四種無(wú)源電子元件憶阻器的研究及應(yīng)用進(jìn)展[J]. 蔡坤鵬,王睿,周濟(jì). 電子元件與材料. 2010(04)
博士論文
[1]基于憶阻器的圖像處理技術(shù)研究[D]. 周靜.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2014
碩士論文
[1]基于憶阻的非易失性存儲(chǔ)方法的研究[D]. 陳敏.華中科技大學(xué) 2015
[2]納米結(jié)構(gòu)憶阻器制造技術(shù)研究[D]. 王天琦.黑龍江大學(xué) 2010
[3]憶阻器電路特性與應(yīng)用研究[D]. 田曉波.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2009
本文編號(hào):3327164
【文章來(lái)源】:合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:69 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.1四種基本元件之間的關(guān)系圖??Fig?2.1?The?relationship?between?the?four?basic?components?diagram??
電流(電壓)方向的不同,摻雜區(qū)擴(kuò)張或縮小,即摻雜區(qū)和非摻雜區(qū)的長(zhǎng)(厚)??度發(fā)生變化,但是因?yàn)閮蓚(gè)區(qū)域的電導(dǎo)率不同,使得憶阻器的電阻值發(fā)生變化[18],??如圖2.2所示。??r<?D?-?,??I?i???-???-W-???I?{?I??■?|?■??〇——?Doped?Undoped??〇??^?Ti〇2??Undoped??_|?|_?[二〉-VW ̄??Doped??『r-}?^?-A^V-???——VW'-?J一AAA——???<Kc〇Jw/(D?<R〇fyrxv/D??圖2.?2?HP實(shí)驗(yàn)室憶阻器模型??Fig?2.2?HP?laboratory?memristor?model??上圖所示,設(shè)薄膜長(zhǎng)(厚)度為D,摻雜區(qū)的長(zhǎng)(厚)度為w,當(dāng)摻雜區(qū)占據(jù)??8??
為低阻態(tài),可認(rèn)為阻值為0。這是下文憶阻器表示邏輯狀態(tài)“0”和“1”的理??論基礎(chǔ)。??圖2.3所示是HP實(shí)驗(yàn)室給出的憶阻器伏安特性曲線。其中外加偏置電壓為正??弦電壓信號(hào):藍(lán)色曲線的是電壓,綠色曲線的是由此偏置電壓產(chǎn)??生的電流,紅色曲線為摻雜區(qū)長(zhǎng)(厚)度與總長(zhǎng)(厚)度比。憶阻器最大阻值與??最小阻值比:R〇FF/R〇N=160。圖中我們可以明顯的觀察以下幾個(gè)特點(diǎn):??1.
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]第四種無(wú)源電子元件憶阻器的研究及應(yīng)用進(jìn)展[J]. 蔡坤鵬,王睿,周濟(jì). 電子元件與材料. 2010(04)
博士論文
[1]基于憶阻器的圖像處理技術(shù)研究[D]. 周靜.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2014
碩士論文
[1]基于憶阻的非易失性存儲(chǔ)方法的研究[D]. 陳敏.華中科技大學(xué) 2015
[2]納米結(jié)構(gòu)憶阻器制造技術(shù)研究[D]. 王天琦.黑龍江大學(xué) 2010
[3]憶阻器電路特性與應(yīng)用研究[D]. 田曉波.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2009
本文編號(hào):3327164
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