為了研究歐姆損耗對高頻真空電子器件工作特性的影響,首先推導(dǎo)頻率色散表面阻抗邊界在三維共形粒子模擬軟件UNIPIC-3D中的實現(xiàn)原理,并通過對有耗邊界矩形諧振腔和圓波導(dǎo)進(jìn)行模擬驗證了該阻抗邊界算法的正確性.采用有耗共形UNIPIC-3D模擬相對論太赫茲表面波振蕩器和低電壓平板格柵返波振蕩器.模擬結(jié)果表明,對于表面波振蕩器和平板BWO這種電磁場集中在金屬慢波結(jié)構(gòu)附近的太赫茲真空電子器件,歐姆損耗會對器件的運(yùn)行帶來極大影響,對于采用銅材料的器件,輸出功率會下降一半左右,器件起振時間出現(xiàn)延遲,但器件工作頻率幾乎不變.為了提高相對論太赫茲表面波振蕩器的效率,在二極管和慢波結(jié)構(gòu)之間增加了反射腔,模擬結(jié)果表明,在考慮器件表面損耗的條件下,器件的工作頻率保持不變,輸出功率由41 MW提高到60 MW. 

【文章來源】：物理學(xué)報. 2020,69(04)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：9 頁

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]0.34 THz大功率過模表面波振蕩器研究[J]. 王光強(qiáng),王建國,李爽,王雪鋒,陸希成,宋志敏.  物理學(xué)報. 2015(05)
[2]基于表面阻抗邊界條件的等離子體薄涂層電磁散射的時域有限差分分析[J]. 楊利霞,馬輝,施衛(wèi)東,施麗娟,于萍萍.  物理學(xué)報. 2013(03)
[3]FDTD-SIBC混合方法計算近地導(dǎo)線表面電流[J]. 閆玉波,葛德彪,柴玫.  電波科學(xué)學(xué)報. 2001(04)



本文編號：3325765