基于聚合物優(yōu)化的新型高效量子點(diǎn)發(fā)光二極管
發(fā)布時(shí)間:2021-08-05 15:08
量子點(diǎn)發(fā)光二極管(quantum dot light-emitting diode,QLED),由于其色純度高、分辨率高、色域廣、發(fā)光效率好、發(fā)光穩(wěn)定性高和發(fā)光在全波段范圍內(nèi)可調(diào)等優(yōu)異性能,成為平板顯示和固態(tài)照明領(lǐng)域最具有發(fā)展?jié)撃艿闹攸c(diǎn)研究方向。雖然,紅光QLED的外量子效率已經(jīng)可以和OLED相媲美。但是,藍(lán)光和白光QLED器件的性能仍然較為落后。如何進(jìn)一步提高QLED器件的性能是一個(gè)亟待解決的關(guān)鍵問(wèn)題。利用結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝調(diào)整等方法,對(duì)量子點(diǎn)發(fā)光二極管進(jìn)行優(yōu)化與性能提升,具有重要價(jià)值和意義。本論文以提高QLED器件的發(fā)光效率為目的,利用添加有機(jī)物功能層優(yōu)化器件的結(jié)構(gòu),最終獲得新型高效的QLED。結(jié)構(gòu)優(yōu)化主要集中在三個(gè)方面:電子傳輸層的優(yōu)化,空穴傳輸層的優(yōu)化和多層量子點(diǎn)發(fā)光層的優(yōu)化。論文的主要工作內(nèi)容及創(chuàng)新點(diǎn)如下:(1)利用有機(jī)物作為電子阻擋層實(shí)現(xiàn)平衡電荷載流子傳輸和高效QLED器件。在這里,我們報(bào)道了一種具有較高LUMO能級(jí)的有機(jī)聚合物pre-PBO作為電子緩沖層,插入量子點(diǎn)發(fā)光層和電子傳輸層之間,進(jìn)而增加電子躍遷到量子點(diǎn)發(fā)光層的勢(shì)壘,降低過(guò)多的電子注入到量子點(diǎn)發(fā)光層。我們發(fā)現(xiàn),多功能...
【文章來(lái)源】:南昌航空大學(xué)江西省
【文章頁(yè)數(shù)】:63 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
量子點(diǎn)核層材料發(fā)射波長(zhǎng)所覆蓋的光譜范圍[13]
核殼量子點(diǎn)的分類
學(xué)位論文 限制,當(dāng)量子點(diǎn)受到來(lái)自外界的光或電場(chǎng)的激發(fā)時(shí)帶上的電子因攜帶能量而躍遷到導(dǎo)帶上形成不穩(wěn)定空位即為空穴。此時(shí),處于激發(fā)態(tài)的一部分電子遇激子,大部分的電子會(huì)再次躍遷回到價(jià)帶上,即電量則以光子的形式釋放。而當(dāng)量子點(diǎn)表面有缺陷時(shí)陷中,隨著缺陷的深度增加,電子被束縛在陷阱中多數(shù)會(huì)以非輻射復(fù)合的形式淬滅。同時(shí)有少數(shù)的電回導(dǎo)帶,和少數(shù)電子通過(guò)釋放光子而迂回價(jià)帶中[28的缺陷可以提高量子點(diǎn)的熒光產(chǎn)率[30]。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Colloidal quantum-dots surface and device structure engineering for high-performance light-emitting diodes[J]. Yuequn Shang,Zhijun Ning. National Science Review. 2017(02)
[2]核殼量子點(diǎn)研究進(jìn)展[J]. 吳鳳義,張忠平,魯文勝. 化學(xué)世界. 2015(05)
[3]水相合成法在有機(jī)化學(xué)實(shí)驗(yàn)教學(xué)中的探索與實(shí)踐[J]. 劉超,王紅艷,王聰,耿濤. 宿州學(xué)院學(xué)報(bào). 2015(04)
[4]量子點(diǎn)發(fā)光顯示器件[J]. Greg Moeller,Seth Coe-Sullivan,婁朝剛. 現(xiàn)代顯示. 2006(12)
碩士論文
[1]QLED載流子傳輸層的形貌調(diào)控和性能研究[D]. 陳學(xué)誠(chéng).東華大學(xué) 2014
[2]ZnS膠體量子點(diǎn)電致發(fā)光特性研究[D]. 宣榮衛(wèi).天津理工大學(xué) 2011
本文編號(hào):3323972
【文章來(lái)源】:南昌航空大學(xué)江西省
【文章頁(yè)數(shù)】:63 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
量子點(diǎn)核層材料發(fā)射波長(zhǎng)所覆蓋的光譜范圍[13]
核殼量子點(diǎn)的分類
學(xué)位論文 限制,當(dāng)量子點(diǎn)受到來(lái)自外界的光或電場(chǎng)的激發(fā)時(shí)帶上的電子因攜帶能量而躍遷到導(dǎo)帶上形成不穩(wěn)定空位即為空穴。此時(shí),處于激發(fā)態(tài)的一部分電子遇激子,大部分的電子會(huì)再次躍遷回到價(jià)帶上,即電量則以光子的形式釋放。而當(dāng)量子點(diǎn)表面有缺陷時(shí)陷中,隨著缺陷的深度增加,電子被束縛在陷阱中多數(shù)會(huì)以非輻射復(fù)合的形式淬滅。同時(shí)有少數(shù)的電回導(dǎo)帶,和少數(shù)電子通過(guò)釋放光子而迂回價(jià)帶中[28的缺陷可以提高量子點(diǎn)的熒光產(chǎn)率[30]。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Colloidal quantum-dots surface and device structure engineering for high-performance light-emitting diodes[J]. Yuequn Shang,Zhijun Ning. National Science Review. 2017(02)
[2]核殼量子點(diǎn)研究進(jìn)展[J]. 吳鳳義,張忠平,魯文勝. 化學(xué)世界. 2015(05)
[3]水相合成法在有機(jī)化學(xué)實(shí)驗(yàn)教學(xué)中的探索與實(shí)踐[J]. 劉超,王紅艷,王聰,耿濤. 宿州學(xué)院學(xué)報(bào). 2015(04)
[4]量子點(diǎn)發(fā)光顯示器件[J]. Greg Moeller,Seth Coe-Sullivan,婁朝剛. 現(xiàn)代顯示. 2006(12)
碩士論文
[1]QLED載流子傳輸層的形貌調(diào)控和性能研究[D]. 陳學(xué)誠(chéng).東華大學(xué) 2014
[2]ZnS膠體量子點(diǎn)電致發(fā)光特性研究[D]. 宣榮衛(wèi).天津理工大學(xué) 2011
本文編號(hào):3323972
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