功率器件在電源管理、電力傳輸、工業(yè)控制等方面影響著人們的生活。硅基功率器件經(jīng)過半個多世紀發(fā)展,性能已經(jīng)趨近于理論極限,而現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)對功率器件的性能要求越來越高。采用新型半導體材料來提升功率器件性能已經(jīng)刻不容緩。氮化鎵（GaN）材料具有寬禁帶、高電子遷移率和高臨界擊穿電場等優(yōu)點,使其成為下一代功率器件的絕佳選擇。AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)具有高濃度的二維電子氣（2-DEG）,在賦予AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應晶體管（HFET）開關(guān)速度快和導通損耗低等優(yōu)點的同時使得常規(guī)HFET為耗盡型器件,不利于功率開關(guān)應用。因此增強型AlGaN/GaN HFET成為GaN基功率器件的技術(shù)難點。本論文利用國產(chǎn)硅襯底GaN晶圓開展增強型AlGaN/GaN HFET功率器件研究,主要研究內(nèi)容包括:（1）結(jié)合實驗室在AlGaN/GaN HFET器件仿真中已有的研究成果,開展了增強型HFET功率器件關(guān)鍵工藝研究。優(yōu)化獲得了較低接觸電阻的歐姆接觸;針對凹槽柵增強型器件最關(guān)鍵的凹槽刻蝕工藝,新開發(fā)出了一種高效率、低損傷且速率可控的凹槽刻蝕工藝。（2）在新型凹槽刻蝕工藝基礎(chǔ)上,提出了部分柵槽概念,通過精確控制刻蝕... 

【文章來源】：電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：90 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

不同半導體材料比導通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論極限[1]

圖 1-2 Avogy 公司縱向 GaN 功率器件性能[10] GaN 器件的研究起步較晚，但最近幾年隨著高端人才的引大的研究成果。2014 年蘇州能訊高能半導體有限公司推出 微波器件(如圖 1-3 所示)，并計劃于兩年內(nèi)推出國內(nèi)第一款商目前國內(nèi)還有中國科學院、中國電子科技集團、北京大學、、電子科技大學、香港科技大學、西安電子科技大學等單位率器件的研發(fā)。

5訊高能半導體有限公司推出的國內(nèi)第一款 Ga GaN 晶圓異質(zhì)外延上也取得了重大進展iconductor,Inc.）在 2014 年推出了達到國/GaN 晶圓，目前年產(chǎn) 2 萬片，并在實驗，可在未來進行投產(chǎn)。江西晶能光電有限N 晶圓的研發(fā)，目前推出了多款商用 G團、中國科學院半導體研究所、中國科安電子科技大學、山東大學等單位也在


本文編號：3319485