功率器件在電源管理、電力傳輸、工業(yè)控制等方面影響著人們的生活。硅基功率器件經(jīng)過(guò)半個(gè)多世紀(jì)發(fā)展,性能已經(jīng)趨近于理論極限,而現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)對(duì)功率器件的性能要求越來(lái)越高。采用新型半導(dǎo)體材料來(lái)提升功率器件性能已經(jīng)刻不容緩。氮化鎵（GaN）材料具有寬禁帶、高電子遷移率和高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)點(diǎn),使其成為下一代功率器件的絕佳選擇。AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)具有高濃度的二維電子氣（2-DEG）,在賦予AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HFET）開關(guān)速度快和導(dǎo)通損耗低等優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)使得常規(guī)HFET為耗盡型器件,不利于功率開關(guān)應(yīng)用。因此增強(qiáng)型AlGaN/GaN HFET成為GaN基功率器件的技術(shù)難點(diǎn)。本論文利用國(guó)產(chǎn)硅襯底GaN晶圓開展增強(qiáng)型AlGaN/GaN HFET功率器件研究,主要研究?jī)?nèi)容包括:（1）結(jié)合實(shí)驗(yàn)室在AlGaN/GaN HFET器件仿真中已有的研究成果,開展了增強(qiáng)型HFET功率器件關(guān)鍵工藝研究。優(yōu)化獲得了較低接觸電阻的歐姆接觸;針對(duì)凹槽柵增強(qiáng)型器件最關(guān)鍵的凹槽刻蝕工藝,新開發(fā)出了一種高效率、低損傷且速率可控的凹槽刻蝕工藝。（2）在新型凹槽刻蝕工藝基礎(chǔ)上,提出了部分柵槽概念,通過(guò)精確控制刻蝕... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：90 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

不同半導(dǎo)體材料比導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論極限[1]

圖 1-2 Avogy 公司縱向 GaN 功率器件性能[10] GaN 器件的研究起步較晚，但最近幾年隨著高端人才的引大的研究成果。2014 年蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司推出 微波器件(如圖 1-3 所示)，并計(jì)劃于兩年內(nèi)推出國(guó)內(nèi)第一款商目前國(guó)內(nèi)還有中國(guó)科學(xué)院、中國(guó)電子科技集團(tuán)、北京大學(xué)、、電子科技大學(xué)、香港科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)等單位率器件的研發(fā)。

5訊高能半導(dǎo)體有限公司推出的國(guó)內(nèi)第一款 Ga GaN 晶圓異質(zhì)外延上也取得了重大進(jìn)展iconductor,Inc.）在 2014 年推出了達(dá)到國(guó)/GaN 晶圓，目前年產(chǎn) 2 萬(wàn)片，并在實(shí)驗(yàn)，可在未來(lái)進(jìn)行投產(chǎn)。江西晶能光電有限N 晶圓的研發(fā)，目前推出了多款商用 G團(tuán)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國(guó)科安電子科技大學(xué)、山東大學(xué)等單位也在


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