微波器件小型化集成化的浪潮不斷襲來,人們對于小型化,平面化的器件的需求越來越大,因此對傳統(tǒng)的器件在保持其優(yōu)勢的前提下進行小型化和平面化設(shè)計就是一個迫切的需求了。本文在基片集成波導(dǎo)品（SIW）三角形諧振腔縫隙天線的基礎(chǔ)上進行改造,使用類梳狀線基片集成波導(dǎo)（CSIW）替換SIW,使得原本不能使用在某些有源集成電路中的SIW諧振腔天線在電路中可以使用,擴大了該類型天線的適用范圍,并且保持SIW本身小型化,高增益等優(yōu)點,且通過避免使用金屬化通孔降低了加工成本。其次,因為CSIW使用類梳狀線作為波導(dǎo)壁,而類梳狀是難以像金屬化通孔一樣成為公共波導(dǎo)壁的,所以對于CSIW單元天線進行組陣是比較困難的,所以我們把目光投向了電路器件設(shè)計方面。CSIW作為一個新技術(shù),在電路器件設(shè)計方面的研究相當(dāng)?shù)纳?我們通過研究,設(shè)計了一個基于CSIW的多層3dB定向耦合器,這個耦合器在同類型的SIW耦合器大多只能做到弱耦合的情況下,可以實現(xiàn)3dB的強耦合,且工作帶寬較寬,并具有CSIW可以使用在有源集成電路中的優(yōu)勢。最后,還利用半模類梳狀線基片集成波導(dǎo)（HMCSIW）技術(shù)將上述定向耦合器進行設(shè)計,成功減少了定向耦合器一般... 

【文章來源】：南京郵電大學(xué)江蘇省

【文章頁數(shù)】：53 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

傳統(tǒng)矩形波導(dǎo)

圖 2.2 基片集成波導(dǎo)傳輸結(jié)構(gòu)圖 2.3 側(cè)面開縫的矩形金屬波導(dǎo)的表面電流分布（TE10 模）矩形波導(dǎo)一樣，要了解 SIW 首先要了解得是它的介質(zhì)波長，其截由兩排垂直的金屬通孔之間所留下空隙的長度所決定的，這一點樣，而不同的是，在 SIW 中，兩排垂直金屬通孔所形成的通孔壁成的近似電壁，在電磁波在 SIW 中傳輸時，會產(chǎn)生一定的表面電巧切斷了這些表面電流，那么就會在縫隙上產(chǎn)生橫向的電場，這

圖 2.3 側(cè)面開縫的矩形金屬波導(dǎo)的表面電流分布（TE10 模）矩形波導(dǎo)一樣，要了解 SIW 首先要了解得是它的介質(zhì)波長，其截由兩排垂直的金屬通孔之間所留下空隙的長度所決定的，這一點樣，而不同的是，在 SIW 中，兩排垂直金屬通孔所形成的通孔壁成的近似電壁，在電磁波在 SIW 中傳輸時，會產(chǎn)生一定的表面電巧切斷了這些表面電流，那么就會在縫隙上產(chǎn)生橫向的電場，這嚴(yán)重的影響傳輸結(jié)構(gòu)的傳輸性能，甚至導(dǎo)致電磁波完全無法傳輸是致命的。在傳統(tǒng)矩形波導(dǎo)中我們?nèi)绻趦蓚�側(cè)面開幾個矩形窗 TE01 模時，我們可以看到圖 2.3 的電流分布，通過圖中的的表在 SIW 中 TE10 模時的表面電流分布狀況，在圖中的矩形窗口我孔之間的縫隙。從圖中我們可以看出，縫隙的方向是縱向的，沒的表面電流同方向，因此我們可以認(rèn)定 SIW 中 TE10 模時可以存En0（n=2,3,4,…）模式時，我們可以類比 TE10 模我們的判斷過程隙的方向相同，所以電流不會被縫隙切斷，所以這些模式都可以們在 SIW 中討論 TM 模式，就可以發(fā)現(xiàn)，在這些模式中，位于側(cè)垂直，也就是說會被縫隙切割斷，從而產(chǎn)生位移電流，導(dǎo)致電磁能量的衰減，所以在 SIW 中 TM 模式時不可以存在的。由此可知模式，不存在 TM 模式。同時因為雖然在 TE 模式中，縫隙和電流

【參考文獻】：
期刊論文
[1]切比雪夫孔陣波導(dǎo)定向耦合器[J]. 陳遠躍.  電訊技術(shù). 1980(02)

碩士論文
[1]C波段基片集成波導(dǎo)定向耦合器的設(shè)計[D]. 秦森.電子科技大學(xué) 2014
[2]基片集成波導(dǎo)技術(shù)的研究及其在雙通帶領(lǐng)域的應(yīng)用[D]. 姜立偉.西安電子科技大學(xué) 2010



本文編號：3313481