隨著通信設(shè)備、雷達(dá)等系統(tǒng)對(duì)器件大功率輸出特性需求的逐步增加,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。GaN作為第三代半導(dǎo)體材料中的代表材料,具有高電子遷移率、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等特性,相對(duì)于硅基或砷化鎵等傳統(tǒng)材料,基于GaN工藝所設(shè)計(jì)的功率器件在高效率大功率方面具有更廣泛的應(yīng)用前景^[1]。準(zhǔn)確的大信號(hào)模型對(duì)器件的電路設(shè)計(jì)具有重要意義,非線(xiàn)性電流-電壓（I-V）模型作為器件大信號(hào)模型的核心,其模型參數(shù)的提取是器件大信號(hào)建模的基礎(chǔ)�？焖贉�(zhǔn)確的參數(shù)提取方法不僅能夠提高建模的效率,而且能夠縮短電路設(shè)計(jì)的周期。針對(duì)器件物理基模型參數(shù)快速提取的方法,本文研究?jī)?nèi)容如下:1.基于表面勢(shì)的GaN HEMT等效電路I-V模型參數(shù)提取方法研究基于GaN HEMT器件的表面勢(shì)理論,首先推導(dǎo)出了可正確反映器件特性的非線(xiàn)性漏源電流I_ds的表達(dá)式,利用器件的S參數(shù)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),建立器件的小信號(hào)等效電路模型,繼而提出了一種流程化的I-V模型參數(shù)提取方法。該方法的主要思想是將模型參數(shù)按照是否具有明確的物理意義先分類(lèi),再逐步提取;具體的參數(shù)提取過(guò)程通過(guò)編程實(shí)現(xiàn),將提取結(jié)果與器件直流特性實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：67 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

GaN材料優(yōu)勢(shì)

器件橫截面示意圖

準(zhǔn)費(fèi)米勢(shì)和電子濃度關(guān)系曲線(xiàn)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Ka波段GaN HEMT功率器件[J]. 廖龍忠,張力江,孫希國(guó),何先良,崔玉興,付興昌.  半導(dǎo)體技術(shù). 2015(07)
[2]0.15μm柵長(zhǎng)Ka波段GaN功率HEMT器件[J]. 周建軍,董遜,孔岑,孔月嬋,李忠輝,陳堂勝,陳辰.  固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2012(01)



本文編號(hào)：3312934