隨著通信設(shè)備、雷達等系統(tǒng)對器件大功率輸出特性需求的逐步增加,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。GaN作為第三代半導(dǎo)體材料中的代表材料,具有高電子遷移率、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率等特性,相對于硅基或砷化鎵等傳統(tǒng)材料,基于GaN工藝所設(shè)計的功率器件在高效率大功率方面具有更廣泛的應(yīng)用前景^[1]。準確的大信號模型對器件的電路設(shè)計具有重要意義,非線性電流-電壓（I-V）模型作為器件大信號模型的核心,其模型參數(shù)的提取是器件大信號建模的基礎(chǔ)�？焖贉蚀_的參數(shù)提取方法不僅能夠提高建模的效率,而且能夠縮短電路設(shè)計的周期。針對器件物理基模型參數(shù)快速提取的方法,本文研究內(nèi)容如下:1.基于表面勢的GaN HEMT等效電路I-V模型參數(shù)提取方法研究基于GaN HEMT器件的表面勢理論,首先推導(dǎo)出了可正確反映器件特性的非線性漏源電流I_ds的表達式,利用器件的S參數(shù)實測數(shù)據(jù),建立器件的小信號等效電路模型,繼而提出了一種流程化的I-V模型參數(shù)提取方法。該方法的主要思想是將模型參數(shù)按照是否具有明確的物理意義先分類,再逐步提取;具體的參數(shù)提取過程通過編程實現(xiàn),將提取結(jié)果與器件直流特性實測數(shù)據(jù)... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

GaN材料優(yōu)勢

器件橫截面示意圖

準費米勢和電子濃度關(guān)系曲線

【參考文獻】：
期刊論文
[1]Ka波段GaN HEMT功率器件[J]. 廖龍忠,張力江,孫希國,何先良,崔玉興,付興昌.  半導(dǎo)體技術(shù). 2015(07)
[2]0.15μm柵長Ka波段GaN功率HEMT器件[J]. 周建軍,董遜,孔岑,孔月嬋,李忠輝,陳堂勝,陳辰.  固體電子學(xué)研究與進展. 2012(01)



本文編號：3312934