發(fā)布時間：2021-07-29 16:50

　　目前硅基器件小型化即將達(dá)到其性能極限,為實現(xiàn)分子器件替代硅基器件,研究單分子尺度電輸運行為十分必要�？焖侔l(fā)展的機械可控裂結(jié)技術(shù)（Mechanically Controllable Break Junction,MCBJ）為研究單分子尺度的電輸運性質(zhì)創(chuàng)造了條件。本論文利用MCBJ技術(shù)展開了以下兩個工作,主要研究內(nèi)容及成果如下:1.雜原子摻雜對量子干涉效應(yīng)的調(diào)控研究在納米尺度的分子器件電輸運性質(zhì)不再遵循歐姆定律,電子輸運過程中能級或傳輸途徑不同的電子量子波函數(shù)的干涉現(xiàn)象不容忽視。為進一步完善單分子尺度量子干涉效應(yīng)理論,本課題將N原子引入已知具有量子干涉的寡聚苯乙炔（Oligophenylene Ethynylene,OPE）體系,基于MCBJ分子電導(dǎo)測試及密度泛函理論（Density functional theory,DFT）計算的結(jié)果表明,通過引入雜原子獲得空間分離的電導(dǎo)通路,實現(xiàn)相消量子干涉調(diào)控。2.碳基分子器件的構(gòu)筑及電輸運研究碳基分子器件被認(rèn)為是取代硅基電子器件的可能選擇,因此對全碳電子學(xué)的研究十分有必要。在裂結(jié)技術(shù)中常常使用金屬電極捕捉目標(biāo)分子構(gòu)筑分子器件,但金屬電極往往帶有原... 

【文章來源】：廈門大學(xué)福建省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：84 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１．?ＳＴＭ－ＢＪ技術(shù)工作原理示意圖［８］??

１．２．３機械可控裂結(jié)技術(shù)??ＭＣＢ＿Ｉ技術(shù)是另一種常用的單分子電學(xué)性能測試技術(shù)。早在１９８５年Ｌ?Ｗ．??Ｅｋｉｎ等人利用一套三點支撐結(jié)構(gòu)裝置（如圖１－３）構(gòu)筑原子點接觸以及實現(xiàn)金屬對??間隙精確控制［１４］。他們將Ｓｎ－Ｎｂ金屬線固定于劃有裂痕的玻璃板上，在玻璃板??中下方通過頂桿施加一個向上的力，使得玻璃板彎曲，帶動Ｓｎ－Ｎｂ金屬線斷裂，??得到納米尺度間隙的金屬電極對。??ＦＲＡＣＴＵＲＥＤ?？?一?Ｓ４ＬＶＥＰ?ＰＡＩＮＴ??Ｆ＇＾Ｔ?ＨＴ?Ｃ０〉ＴＡＣＴＳ???／??ＧＬＵＥ?ＪＯＩＮＴ—＂７?一，一■＝４￣－ＧＬＡＳＳ??丨?ｆ?丨?ＣＯＶＥＲ?ＳＵＰ??／?８ＥＮ０ＩＮＧ??／?ＦＯＲＣＥ?＼??－ＦＲＥＥ＂?ＣＯＶＥＲ?０ＥＮＣＨＮＧ?ＱＬＡＳＳ??ＳＬＩＰ?ＦＯＷ?ＢＥＡＭ??ＣＯＮＣＥＮＴＲＡＴＩＮＧ??ＳＴＲＡＩＮ??圖１－３．三點支撐結(jié)構(gòu)裝置示意圖［１４］??１９９２年Ｍｕｌｌｅｒ等人首次將三點

ｓｕｂｓｔｒａｔｅ??Ｐｉｅｚｏ?；：；Ｊｐ—｜?—Ｊ??圖１－２?．ＣＰＡＦＭ－ＢＪ工作機理結(jié)構(gòu)示意圖［１１］??１．２．３機械可控裂結(jié)技術(shù)??ＭＣＢ＿Ｉ技術(shù)是另一種常用的單分子電學(xué)性能測試技術(shù)。早在１９８５年Ｌ?Ｗ．??Ｅｋｉｎ等人利用一套三點支撐結(jié)構(gòu)裝置（如圖１－３）構(gòu)筑原子點接觸以及實現(xiàn)金屬對??間隙精確控制［１４］。他們將Ｓｎ－Ｎｂ金屬線固定于劃有裂痕的玻璃板上，在玻璃板??中下方通過頂桿施加一個向上的力，使得玻璃板彎曲，帶動Ｓｎ－Ｎｂ金屬線斷裂，??得到納米尺度間隙的金屬電極對。??ＦＲＡＣＴＵＲＥＤ?？?一?Ｓ４ＬＶＥＰ?ＰＡＩＮＴ??Ｆ＇＾Ｔ?ＨＴ?Ｃ０〉ＴＡＣＴＳ???／??ＧＬＵＥ?ＪＯＩＮＴ—＂７?一，一■＝４￣－ＧＬＡＳＳ??丨?ｆ?丨?ＣＯＶＥＲ?ＳＵＰ??／?８ＥＮ０ＩＮＧ??／?ＦＯＲＣＥ?＼??－ＦＲＥＥ＂?ＣＯＶ

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Quantum interference effect in the charge transport through single-molecule benzene dithiol junction at room temperature:An experimental investigation[J]. Guogang Yang,Hao Wu,Junying Wei,Jueting Zheng,Zhaobin Chen,Junyang Liu,Jia Shi,Yang Yang,Wenjing Hong.  Chinese Chemical Letters. 2018(01)



本文編號：3309695