發(fā)布時(shí)間：2021-07-28 22:54

　　PIN結(jié)構(gòu)是電光調(diào)制器中常見(jiàn)的一種電學(xué)調(diào)制結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)中載流子注入效率直接影響著電光調(diào)制器的性能.在前期的研究中,我們?cè)赟OI材料的基礎(chǔ)上提出了一種新型Si/Si Ge/Si雙異質(zhì)結(jié)PIN電學(xué)調(diào)制結(jié)構(gòu),可以有效提高載流子注入效率,降低調(diào)制功耗.為了進(jìn)一步研究這種新型調(diào)制器結(jié)構(gòu)的調(diào)制機(jī)理,本文從單異質(zhì)結(jié)能帶理論出發(fā),定量分析了該新型結(jié)構(gòu)中雙異質(zhì)結(jié)的勢(shì)壘高度變化,給出了雙異質(zhì)結(jié)勢(shì)壘高度的定量公式;將新型結(jié)構(gòu)與SiGe-OI和SOI兩種PIN電學(xué)調(diào)制結(jié)構(gòu)進(jìn)行能帶對(duì)比,分析了該新型結(jié)構(gòu)載流子注入增強(qiáng)的原因;最后模擬了新型結(jié)構(gòu)的能帶分布,以及能帶和調(diào)制電壓與注入載流子密度的關(guān)系.與SiGe-OI和SOI兩種PIN電學(xué)調(diào)制結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)比發(fā)現(xiàn),1 V調(diào)制電壓下,新型結(jié)構(gòu)的載流子密度達(dá)到了8×10¹⁸cm^-3,比SOI結(jié)構(gòu)的載流子密度高了800%,比SiGe-OI結(jié)構(gòu)的載流子密度高了340%,進(jìn)一步說(shuō)明了該新型結(jié)構(gòu)的優(yōu)越性,并且驗(yàn)證了理論分析的正確性. 

【文章來(lái)源】：物理學(xué)報(bào). 2016,65(05)北大核心EISCICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：8 頁(yè)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3308807