在10μm小間距的條件下進(jìn)行紅外探測(cè)器的銦柱生長(zhǎng)工藝,會(huì)得到銦柱高度不足的結(jié)果;本文針對(duì)這種情況,開展了小間距的銦柱生長(zhǎng)研究,比較了在不同基片溫度和蒸發(fā)速率條件下的銦柱高度,并分析了試驗(yàn)結(jié)果,得到了最優(yōu)的生長(zhǎng)工藝條件。 

【文章來源】：激光與紅外. 2020,50(10)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

銦蒸發(fā)示意圖

光刻孔內(nèi)銦柱的生長(zhǎng)過程如圖2所示。在圖2中,Gv為銦柱垂直生長(zhǎng)速度=銦蒸發(fā)速率;GH為銦柱水平生長(zhǎng)速度;D為光刻孔的開孔直徑=銦柱底部的直徑;d為銦柱頂部的直徑;h為銦柱的高度;hmax為銦柱最大的可能高度。

蒸發(fā)后基片表面掃電圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]讀出電路銦柱打底層對(duì)銦柱成球高度的影響[J]. 謝珩,梁宗久,楊雅茹.  激光與紅外. 2011(01)
[2]128×128GaAs量子阱紅外焦平面探測(cè)器陣列銦柱制備[J]. 楊孟麗,馮震.  微納電子技術(shù). 2006(11)
[3]128×128混合式熱釋電非致冷焦平面探測(cè)器列陣銦膜及銦柱制備工藝研究[J]. 黃江平,楊春麗,黎力,楊登全,張麗華,李玉英.  紅外技術(shù). 2003(06)



本文編號(hào)：3306320