發(fā)布時(shí)間：2021-07-23 03:01

　　為了降低相控陣天線T/R組件的尺寸和成本,提高集成度,該文基于0.5μm GaAs pHEMT工藝,設(shè)計(jì)了一款X波段寬帶幅相多功能芯片。芯片在架構(gòu)設(shè)計(jì)方面除了集成傳統(tǒng)的6位數(shù)字移相器、6位數(shù)字衰減器、單刀雙擲開關(guān)和驅(qū)動(dòng)放大器以外,新引入了2位數(shù)字延時(shí)器,實(shí)現(xiàn)了收發(fā)通道的幅相與時(shí)延的獨(dú)立控制和單芯片集成,改善了寬帶相控陣應(yīng)用中的波束色散。在幅相特性方面,采用高低通移相網(wǎng)絡(luò)和開關(guān)型衰減拓?fù)?實(shí)現(xiàn)平坦的移相、衰減特性,并有效降低了寄生調(diào)幅和附加相移。實(shí)測(cè)結(jié)果表明:8～12 GHz工作頻帶內(nèi),64態(tài)移相均方根（RMS）誤差小于3.5°,寄生調(diào)幅RMS小于0.3dB;64態(tài)衰減RMS誤差小于0.4 dB,附加相移RMS小于2.5°;延時(shí)器延時(shí)誤差小于1.5 ps。芯片尺寸為5.0 mm×3.5 mm。 

【文章來源】：電子科技大學(xué)學(xué)報(bào). 2020,49(05)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：10 頁

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]一種超小型7～8.5 GHz GaAs多功能芯片[J]. 謝媛媛,趙子潤,劉文杰,李遠(yuǎn)鵬,陳鳳霞.  微納電子技術(shù). 2016(05)



本文編號(hào)：3298455