隨著科技的迅速發(fā)展,半導(dǎo)體材料已經(jīng)在一些領(lǐng)域中得到廣泛的應(yīng)用,如智能窗、顯示器、太陽能電池及污水降解等方面。電致變色和光電催化性能是衡量半導(dǎo)體材料光電性能的主要標(biāo)準(zhǔn),為制備光電性能優(yōu)異的半導(dǎo)體薄膜材料,本論文以WO₃納米塊薄膜、WO₃/Ag復(fù)合薄膜和WO₃/Cu復(fù)合薄膜為主要研究對(duì)象。具體研究?jī)?nèi)容如下:（1）采用水熱法在導(dǎo)電玻璃（FTO）上制備WO₃納米塊薄膜。通過X射線衍射和掃描電子顯微鏡對(duì)WO₃納米塊薄膜進(jìn)行表征。利用電致變色測(cè)試得到WO₃納米塊薄膜的電致變色可逆性、響應(yīng)時(shí)間、著色效率和光譜透過率等參數(shù),利用光電流和光電催化測(cè)試得到WO₃納米塊薄膜的光電流和光電催化降解效率等參數(shù),并對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)分析。經(jīng)過研究水熱時(shí)間對(duì)WO₃納米塊薄膜光電性能的影響,結(jié)果顯示水熱時(shí)間4小時(shí)的WO₃納米塊薄膜具有良好電致變色、光電流和光電催化性能。（2）在WO₃納米塊薄膜光電性能最佳（... 

【文章來源】：長(zhǎng)春理工大學(xué)吉林省

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

WO3理想晶體結(jié)構(gòu)

化測(cè)試光照射下，偏置電壓固定在 1.5V(vs. Ag/AgCl)，以 液為電解質(zhì)(電解質(zhì)定量 90ml)，使用電化學(xué)工作站(L電催化測(cè)試，同時(shí)使用紫外-可見分光光度計(jì)(Tu-181波長(zhǎng)為 665 nm。電化學(xué)工作站進(jìn)行樣品的性能測(cè)試，均選用三電極體電極，Pt 網(wǎng)為對(duì)電極，Ag/AgCl 為參比電極。論米塊薄膜的結(jié)構(gòu)與表征衍射測(cè)試分析WO3薄膜的晶體結(jié)構(gòu)，我們采用 X 射線衍射儀(XRD)對(duì)試結(jié)果如圖 2.1 所示。

3薄膜樣品進(jìn)行掃描電子顯微鏡(SEM)測(cè)試，如圖 2.2 所示。圖 2.2 水熱生長(zhǎng)不同時(shí)間的 WO3納米塊薄膜的 SEM 圖頂端掃描圖(a) 2h; (b) 4h; (c) 6h 剖面掃描圖(d) 2h; (e) 4h; (f) 6h圖 2.2(a-c)分別為 WO3-2h、WO3-4h 與 WO3-6h 納米塊薄膜頂端掃描圖，從圖中可以看出，不同水熱時(shí)間合成 WO3的表面形貌幾乎無差別，均是形狀規(guī)則且相互交錯(cuò)連接的磚塊狀結(jié)構(gòu)，表明我們制備出納米塊結(jié)構(gòu)的 WO3薄膜。圖 2.2(d-f)分別為WO3-2h、WO3-4h 與 WO3-6h 納米塊薄膜剖面掃描圖，從圖中可以看出，WO3-4h 納米塊薄膜厚度約為 1.711μm，厚于 WO3-2h 納米塊薄膜的 472nm 和 WO3-6h 納米塊薄膜的 1.133μm。這可能由于隨著水熱時(shí)間的增加，大量的 WO3納米塊相互擠壓而變得彎曲


本文編號(hào)：3296167