硅基張應(yīng)變鍺光源的技術(shù)研究
發(fā)布時(shí)間:2021-07-19 12:17
隨著信息技術(shù)日新月異的的發(fā)展以及“大數(shù)據(jù)”、“萬物互聯(lián)”等概念的提出,當(dāng)今社會(huì)的信息量正呈現(xiàn)爆炸式的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。海量信息的產(chǎn)生,對(duì)信息的處理、傳輸和存儲(chǔ)都提出了前所未有的要求。過去的幾十年里,信息產(chǎn)業(yè)的興盛得益于集成電路技術(shù)的不斷進(jìn)步。然而,隨著半導(dǎo)體工藝逐漸接近極限,集成電路的性能提升速度日趨緩慢。另一方面,微電子器件中傳統(tǒng)的電互連方式也在高速、高集成密度的情況下表現(xiàn)出性能瓶頸。為了尋求高速、低能耗的信息處理和傳輸方案,人們開始將目光投向光子學(xué)技術(shù)。硅基光子學(xué)是一個(gè)被寄予厚望的技術(shù)方向。首先,利用光子技術(shù)的高速性、并行性以及低損耗性等優(yōu)勢(shì),電學(xué)領(lǐng)域中信息處理和傳輸?shù)钠款i問題將迎刃而解。其次,硅光子技術(shù)延續(xù)了微電子產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期研發(fā)投入的硅材料工藝,即互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工藝,因而能較好地與現(xiàn)有的微電子技術(shù)兼容并且具有很低的制造成本。此外,由于其高度集成化的特點(diǎn),硅光子技術(shù)還能在光譜學(xué)、傳感等領(lǐng)域顛覆傳統(tǒng)的光學(xué)技術(shù)。雖然硅基光子學(xué)在過去二十年里取得了令人矚目的成就,但最為核心的單片集成硅基光源卻仍然沒有...
【文章來源】:華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:157 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
光互連在不同距離下的應(yīng)用場(chǎng)景
1-2 (a)Intel 提出的硅基光電混合芯片示意圖;(b)IBM 提出的分層式硅基光電芯片示(a) (b) 1-3 (a)Intel 的 50 Gb/s 光收發(fā)系統(tǒng);(b)Intel 的 100 Gb/s 光模塊。圖片來源:Intel 官
華 中 科 技 大 學(xué) 博 士 學(xué) 位 論 文域刻蝕了弧形分布式布拉格反射器(Distributed Bragg reflector,DBa)所示[37] 在這項(xiàng)工作中,他們采用 GOI 材料平臺(tái),利用分子鍵附著在襯底上,從而提高了有源區(qū)的散熱性能。結(jié)合 1.6%單軸張應(yīng)00 的光學(xué)諧振腔,他們觀察到了低溫光泵浦激射,閾值功率僅為 3C. Kimerling 課題組所報(bào)道的鍺激光器低兩個(gè)數(shù)量級(jí),從而論證了閾值硅基激光器的可行性。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]金屬與半導(dǎo)體Ge歐姆接觸制備、性質(zhì)及其機(jī)理分析[J]. 嚴(yán)光明,李成,湯夢(mèng)饒,黃詩浩,王塵,盧衛(wèi)芳,黃巍,賴虹凱,陳松巖. 物理學(xué)報(bào). 2013(16)
本文編號(hào):3290687
【文章來源】:華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:157 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
光互連在不同距離下的應(yīng)用場(chǎng)景
1-2 (a)Intel 提出的硅基光電混合芯片示意圖;(b)IBM 提出的分層式硅基光電芯片示(a) (b) 1-3 (a)Intel 的 50 Gb/s 光收發(fā)系統(tǒng);(b)Intel 的 100 Gb/s 光模塊。圖片來源:Intel 官
華 中 科 技 大 學(xué) 博 士 學(xué) 位 論 文域刻蝕了弧形分布式布拉格反射器(Distributed Bragg reflector,DBa)所示[37] 在這項(xiàng)工作中,他們采用 GOI 材料平臺(tái),利用分子鍵附著在襯底上,從而提高了有源區(qū)的散熱性能。結(jié)合 1.6%單軸張應(yīng)00 的光學(xué)諧振腔,他們觀察到了低溫光泵浦激射,閾值功率僅為 3C. Kimerling 課題組所報(bào)道的鍺激光器低兩個(gè)數(shù)量級(jí),從而論證了閾值硅基激光器的可行性。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]金屬與半導(dǎo)體Ge歐姆接觸制備、性質(zhì)及其機(jī)理分析[J]. 嚴(yán)光明,李成,湯夢(mèng)饒,黃詩浩,王塵,盧衛(wèi)芳,黃巍,賴虹凱,陳松巖. 物理學(xué)報(bào). 2013(16)
本文編號(hào):3290687
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