隨著光探測(cè)技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用,對(duì)近紅外尤其是1064nm波段光子的探測(cè)需求越來(lái)越迫切。近紅外增強(qiáng)型硅APD四象限探測(cè)器是一種基于雪崩倍增效應(yīng)的硅基四象限探測(cè)器,廣泛應(yīng)用于光電跟蹤、激光準(zhǔn)直等領(lǐng)域,相對(duì)于普通硅PIN型四象限探測(cè)器,其具有響應(yīng)速度快、靈敏度高、探測(cè)光譜范圍寬等特點(diǎn)。本文闡述了雪崩型硅光電二極管四象限探測(cè)器的器件結(jié)構(gòu)與工作原理,介紹了光響應(yīng)度、溫度系數(shù)、擊穿電壓、串?dāng)_等重要特征參數(shù),并對(duì)目前典型的近紅外增強(qiáng)技術(shù),黑硅和Ge/Si異質(zhì)結(jié)技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)描述。在理論研究的基礎(chǔ)上,先對(duì)論文研制器件中采用的正面微透鏡陣列、背面制絨、增透膜設(shè)計(jì)等近紅外增強(qiáng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析和仿真,利用仿真軟件建立模型,并通過(guò)仿真模型和理論公式計(jì)算出工藝參數(shù),根據(jù)仿真工藝參數(shù)制作出來(lái)的器件參數(shù)與仿真結(jié)果相符。然后,在描述器件制作的工藝流程過(guò)程中,分析了制作中存在的難點(diǎn),并提出解決方案。最后,在與國(guó)外器件的對(duì)比測(cè)試中,確認(rèn)了器件的性能參數(shù)達(dá)到論文研制要求。論文取得的主要研究成果如下:首先,得出本論文研究器件結(jié)構(gòu)增透膜膜系:鈍化層氧化硅（40nm）+鈍化層氮化硅（100nm）+微透鏡材料LTO（12000nm）+表... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

典型的激光跟蹤儀產(chǎn)品

第一章 緒論表面的催化反應(yīng)時(shí)偶然間發(fā)現(xiàn)，把純硅片放飛秒激光器產(chǎn)生高強(qiáng)度飛秒級(jí)的超短脈沖激面的形貌造成改變，最終會(huì)在硅片表面形成收率可以達(dá)到 95%以上，并且對(duì)近紅外光也現(xiàn)黑色，故稱之為黑硅（black silicon）[2]，光在其表面展開(kāi)重復(fù)反射，不停的進(jìn)行吸收收系數(shù)[3,4]。

從外觀圖片可以看出芯片均采用了晶體管外殼（TO，Transistor Outline）的封裝方式。圖1-4 濱松公司S11499系列器件及光譜響應(yīng)曲線圖1-5 first senor公司QA4000-10器件及光譜響應(yīng)曲線

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]近紅外波段Ge光電探測(cè)器的研究進(jìn)展[J]. 柯星星,羅軍,趙超,王桂磊.  半導(dǎo)體技術(shù). 2015(04)
[2]硅基APD器件的工藝及性能仿真分析[J]. 王巍,馮其,武逶,謝玉亭,王振,馮世娟.  紅外與激光工程. 2014(01)
[3]高阻p型硅大面積四象限探測(cè)器的研制[J]. 向勇軍,黃烈云,李作金.  半導(dǎo)體光電. 2012(03)
[4]平面型APD抑制邊緣擊穿的方法研究[J]. 楊懷偉,韓勤,楊曉紅,李彬,王秀平,王杰,劉少卿.  半導(dǎo)體光電. 2012(01)
[5]四象限InGaAs APD探測(cè)器的研究[J]. 王致遠(yuǎn),李發(fā)明,劉方楠.  光通信研究. 2007(06)
[6]半導(dǎo)體集成電路用表面鈍化膜的研究[J]. 劉學(xué)建,張俊計(jì),孫興偉,蒲錫鵬,黃莉萍.  陶瓷學(xué)報(bào). 2002(02)
[7]達(dá)通型硅雪崩光電二極管結(jié)參數(shù)與倍增特性的計(jì)算[J]. 文雪冬,鐘澤祥.  激光技術(shù). 1993(04)

碩士論文
[1]金屬銅輔助刻蝕制備黑硅的研究[D]. 虞棟.南京大學(xué) 2015
[2]濕法刻蝕制備黑硅及性能研究[D]. 張安元.電子科技大學(xué) 2011
[3]黑硅材料的制備及特性研究[D]. 郭正宇.電子科技大學(xué) 2010



本文編號(hào)：3289254