本文通過(guò)分析傳輸線脈沖靜電敏感度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)ANSI/ESD STM5.5.1-2014,并與該標(biāo)準(zhǔn)2008年版本進(jìn)行比較,對(duì)傳輸線脈沖的測(cè)試曲線、波形參數(shù)、測(cè)試方法等重要技術(shù)指標(biāo)的修訂進(jìn)行解讀。 

【文章來(lái)源】：標(biāo)準(zhǔn)科學(xué). 2016,(11)

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

TLP測(cè)試V-I曲線及測(cè)量參數(shù)

嬤卸圓饈圓問(wèn)?圖撲愎?蕉甲齔雋私洗?幅度的改進(jìn)，使得測(cè)試方法都更精確且更符合測(cè)試中的實(shí)際情況[8]。（1）電流源TLP電流源TLP測(cè)試在DUT上串聯(lián)500歐的電阻，然后通過(guò)電流與電壓探針在雙通道示波器上測(cè)量DUT的電壓和電流，由于500歐與56歐的接地電阻并聯(lián)可獲得50歐的匹配阻抗用以匹配特性阻抗為50歐的傳輸線，使得脈沖只有少量的反射。因此不需要參考脈沖。最新修訂版中，短路電流由原來(lái)的5安培修訂為1安培。上升時(shí)間由原來(lái)的“大于3ns、小于等于脈沖半峰寬”修訂為“大于3ns、小于等于脈沖半峰寬的25%”（如圖2所示）。圖2電流源TLP測(cè)試（2）時(shí)域反射TLP時(shí)域反射TDR通常會(huì)發(fā)生多重發(fā)射，需配有衰減器用以衰減反射脈沖，若反射脈沖覆蓋了原始脈沖，則還需參考脈沖進(jìn)行參考。該測(cè)試方法系統(tǒng)阻抗為50歐，最大電流通常大于10安培。短路電流由原來(lái)的10安培修訂為20安培；脈沖寬度由原來(lái)的“大于1ns”修訂為“大于10ns”；上升時(shí)間由原來(lái)的“大于3ns、小于等于脈沖半峰寬”修訂為“大于3ns、小于等于脈沖半峰寬的25%”（如圖3所示）。圖3時(shí)域反射TLP測(cè)試（3）時(shí)域傳輸TLP在示波器上直接測(cè)量傳輸波形的TLP測(cè)試方·EvaluationandAnalysisonStandard·

唷Ｉ仙?奔溆稍?吹摹按笥?ns、小于等于脈沖半峰寬”修訂為“大于3ns、小于等于脈沖半峰寬的25%”（如圖2所示）。圖2電流源TLP測(cè)試（2）時(shí)域反射TLP時(shí)域反射TDR通常會(huì)發(fā)生多重發(fā)射，需配有衰減器用以衰減反射脈沖，若反射脈沖覆蓋了原始脈沖，則還需參考脈沖進(jìn)行參考。該測(cè)試方法系統(tǒng)阻抗為50歐，最大電流通常大于10安培。短路電流由原來(lái)的10安培修訂為20安培；脈沖寬度由原來(lái)的“大于1ns”修訂為“大于10ns”；上升時(shí)間由原來(lái)的“大于3ns、小于等于脈沖半峰寬”修訂為“大于3ns、小于等于脈沖半峰寬的25%”（如圖3所示）。圖3時(shí)域反射TLP測(cè)試（3）時(shí)域傳輸TLP在示波器上直接測(cè)量傳輸波形的TLP測(cè)試方·EvaluationandAnalysisonStandard·

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]一種新型IC保護(hù)單元ESD評(píng)價(jià)方式——TLP測(cè)試[J]. 陸堅(jiān),朱衛(wèi)良.  電子與封裝. 2008(12)
[2]集成電路抗ESD設(shè)計(jì)中的TLP測(cè)試技術(shù)[J]. 羅宏偉,師謙.  電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn). 2003(04)



本文編號(hào)：3278765