走進(jìn)了互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代,人們?nèi)粘Ｉ畎l(fā)生了翻天覆地的變化。在互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)愈發(fā)便利生活的同時(shí),對(duì)通信系統(tǒng)的傳輸速率的需求越來越高,這種日益增長(zhǎng)的需求推動(dòng)著無線通信技術(shù)的不斷前進(jìn)。毫米波頻段擁有極為豐富的頻譜資源和更高的傳輸速率,是無線通信技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要研究方向。而低噪聲放大器（Low Noise Amplifier,LNA）是通信系統(tǒng)接收機(jī)前端的關(guān)鍵電路。本文著眼于研究毫米波LNA,調(diào)研了國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究成果,總結(jié)梳理其研究現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢(shì)、基本原理和相關(guān)理論,最后基于65 nm CMOS工藝設(shè)計(jì)了不同結(jié)構(gòu)的兩款140GHz低噪聲放大器。本文首先概括了無線通信系統(tǒng)的發(fā)展歷程,明確了對(duì)LNA的研究在現(xiàn)代無線通信技術(shù)發(fā)展的重要作用,總結(jié)了近年來相關(guān)文獻(xiàn)所呈現(xiàn)的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì),闡述了論文的背景與意義。其次,本文簡(jiǎn)單分析了毫米波集成電路涉及到的一些器件特性基礎(chǔ),梳理總結(jié)了關(guān)于低噪聲放大器的噪聲理論、性能指標(biāo)和主要電路結(jié)構(gòu),這是本文中電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)和理論指導(dǎo)。最后,本文詳細(xì)介紹了所設(shè)計(jì)的兩種140GHz LNA。在前述理論的基礎(chǔ)上,首先完成的是140GHz共源LNA的設(shè)計(jì)與仿真。該電路采用五級(jí)級(jí)聯(lián)的共... 

【文章來源】：杭州電子科技大學(xué)浙江省

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖２．１折疊結(jié)構(gòu)電阻（９０°拐角）??

杭州電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文（或者多晶硅）、氧化層和襯底構(gòu)成。ＭＯＳ電容的單位面積電容較大［１８］，故??應(yīng)用于實(shí)現(xiàn)較大值的集成電容。在ＭＯＳＦＥＴ晶體管的不同工作狀態(tài)中，強(qiáng)反??工作區(qū)有著最大的電容密度，這一特性的應(yīng)用十分廣泛。??可以看出，隨著偏置電壓的變化，ｐｎ結(jié)電容和ＭＯＳ電容的容值也會(huì)發(fā)生??變，這一特性可用于調(diào)諧電路中來改變電路的諧振狀態(tài)，即容抗管。??ＭＭ電容本質(zhì)上就是一個(gè)平板電容器，一般來說其兩極板分別是較上層金??以及其一層只用來構(gòu)成ＭＩＭ電容的特殊金屬層，該層不能用作互連線［１９］，??ＭＩＭ電容只存在于部分ＣＭＯＳ工藝中，與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字ＣＭＯＳ工藝也不兼容。??圖２．２所示，ＭＩＭ電容上下兩極板的金屬層距離很近，中間采用高介電常數(shù)??介質(zhì)來達(dá)到較大的電容密度和較小的寄生效應(yīng)，故ＭＩＭ電容是一種性能非??優(yōu)良的電容器［１９］。??

方法就不再實(shí)用，需要引入傳輸線理論。??傳輸線理論是一種采用由獨(dú)立的電阻、電容和電感組成的模型來等效和描??述微波、毫米波電路的分布參數(shù)電路理論［２１］，其模型示意圖如圖２．４所示。其??中０、是傳輸線的寄生阻抗，々、＆是傳輸線周圍激發(fā)高頻磁場(chǎng)磁能的存??儲(chǔ)電感，Ｃ是傳輸線周圍激發(fā)高頻電場(chǎng)電能的存儲(chǔ)電容，Ｇ是傳輸線兩導(dǎo)體之??間的漏電導(dǎo)。圖２．５是它的單元電路分析。??９??

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本文編號(hào)：3270996