主要介紹了幾種用MBE技術(shù)生長(zhǎng)HgCdTe/CdTe的Si襯底的替代性襯底材料的基本參數(shù),以及不同材料的最新生長(zhǎng)過(guò)程及結(jié)果,和對(duì)它們的生長(zhǎng)結(jié)果的比較分析,以此來(lái)選擇較為適合替代Si襯底來(lái)生長(zhǎng)HgCdTe/CdTe的襯底。本文通過(guò)一系列的對(duì)比,得出目前最有發(fā)展前景的替代襯底是GaSb襯底,是未來(lái)發(fā)展的方向。 

【文章來(lái)源】：激光與紅外. 2020,50(06)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：8 頁(yè)

【部分圖文】：

幾種HgCdTe外延用襯底的室溫晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù) 表格顯示了四種替代襯底與HgCdTe之間的晶格常數(shù) 和熱膨脹系數(shù)失配情況

西澳大利亞大學(xué)[12-15]在2018年使用Riber 32P 分子束外延系統(tǒng)生長(zhǎng) CdTe薄膜。首先在580 ℃進(jìn)行熱處理,生長(zhǎng)150～200 nm厚的ZnTe過(guò)度層,之后降溫到280～300 ℃生長(zhǎng)2～3 μm厚的CdTe薄膜,其半峰寬最優(yōu)可以達(dá)到33 arcsec。采用Everson腐蝕液腐蝕15 s后,其腐蝕坑密度平均值可以達(dá)1.4×105 cm-2。圖3[12] CdTe/GaSb(211)B的AFM表面圖及高度剖面,圖4[12](a)和(b)分別為CdTe/GaSb(211)B原生及經(jīng)腐蝕后的SEM表面。西澳大利亞大學(xué)早在2015年就對(duì)GaAs(211)和 GaSb(211)襯底生長(zhǎng)HgCdTe進(jìn)行了比較,按照如圖5[14]所示的生長(zhǎng)順序進(jìn)行生長(zhǎng),在GaAs襯底上多生長(zhǎng)了一層ZnTe過(guò)渡層,之后再依次生長(zhǎng)CdTe與HgCdTe薄膜。圖6[14]分別為在GaAs和 GaSb襯底上生長(zhǎng)HgCdTe后的X-Ray Diffraction(XRD)曲線、生長(zhǎng)HgCdTe時(shí)的RHEED圖像和經(jīng)腐蝕后的材料表面。

GaAs(211)和GaSb(211)上生長(zhǎng)HgCdTe圖解

【參考文獻(xiàn)】：
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