提出了一種工作在110 GHz的耦合腔垂直傳輸結(jié)構(gòu)。在垂直金屬腔的兩端對(duì)稱(chēng)地裝配兩個(gè)模式變換單元,作為波導(dǎo)的兩個(gè)激勵(lì)端口。模式變換單元在50μm厚度石英基片上實(shí)現(xiàn),該基片采用通孔結(jié)構(gòu)和雙面鍍金工藝。因此,該垂直傳輸結(jié)構(gòu)在太赫茲頻段具有較低的插入損耗。仿真結(jié)果與測(cè)試結(jié)果擬合良好,模式變換單元的S21仿真結(jié)果為-0.7 dB,測(cè)試結(jié)果小于-1.3 dB,在105～116 GHz帶寬的反射系數(shù)低于-10 dB。 

【文章來(lái)源】：紅外與激光工程. 2020,49(06)北大核心EICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)


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