分析了晶圓雙面電鍍金工藝過程中影響鍍層厚度均勻性的因素,通過單因素對比實(shí)驗(yàn),研究陰極觸點(diǎn)數(shù)量、電場屏蔽板開孔尺寸、旋轉(zhuǎn)槳與晶圓間距和旋轉(zhuǎn)槳轉(zhuǎn)速等因素對鍍金層厚度均勻性的影響及其影響機(jī)理。當(dāng)陰極觸點(diǎn)數(shù)量為12個(gè),電場屏蔽板開孔尺寸為60 mm,旋轉(zhuǎn)槳與晶圓的間距為3 mm,旋轉(zhuǎn)槳轉(zhuǎn)速為180 r/min時(shí),可得到最優(yōu)的4英寸（1英寸=2.54 mm）晶圓雙面電鍍金厚度均勻性。當(dāng)電鍍工藝目標(biāo)鍍層厚度為4μm時(shí),晶圓雙面鍍層厚度均勻性可控制在5%以內(nèi)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,晶圓雙面掛鍍設(shè)備即可滿足晶圓雙面同時(shí)電鍍,也可滿足高端芯片封裝對鍍層厚度均勻性的要求。 

【文章來源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2020,45(10)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【圖文】：

電鍍槽體示意圖

圖1 電鍍槽體示意圖陰極觸點(diǎn)位置及鍍層厚度測量位置示意圖如圖3所示,晶圓正反面的序號(hào)和觸點(diǎn)名稱位置一致,晶圓直徑95～99 mm內(nèi)為觸點(diǎn)接觸區(qū)域,圖中點(diǎn)A～M(無I點(diǎn))共12個(gè)點(diǎn)為電鍍時(shí)觸點(diǎn)位置,1～9區(qū)域?yàn)殡婂兒髾z測鍍層厚度的位置。使用德國Fisher公司生產(chǎn)的XDV-SDD型X射線熒光鍍層測厚及材料分析儀檢測鍍層厚度,測量誤差小于10 nm。本文中的鍍層厚度均勻性(U)數(shù)值越小,代表鍍層厚度均勻性越好,其計(jì)算公式為

式中δmax、δmin和δAVG分別為鍍層厚度的最大值、最小值和平均值(單位均為μm)。影響鍍層厚度均勻性的主要因素有陰極觸點(diǎn)數(shù)量、鍍液流場的分布形式、電場屏蔽板開孔尺寸、陰陽極面積比和鍍液分散能力等。陰陽極面積比在本文中沒有進(jìn)行對比實(shí)驗(yàn),一般采用的陽極面積為陰極面積的2倍以上。由于采用同一種鍍液,不考慮鍍液的分散能力。本文主要對工藝中陰極觸點(diǎn)數(shù)量、電場屏蔽板開孔尺寸、旋轉(zhuǎn)槳與晶圓間距和旋轉(zhuǎn)槳轉(zhuǎn)速等因素對晶圓雙面鍍金層厚度均勻性的影響進(jìn)行實(shí)驗(yàn)分析。


本文編號(hào)：3250357