工藝設計包（PDK）作為當前流行的電路設計工具,越來越受到電路設計工程師的青睞�；陔娐吩O計的實際需求,完成一套適用于Virtuoso IC61平臺下的0.13微米混合/射頻信號工藝設計套件,并對其中的一些重要器件的參數(shù)化單元的開發(fā)方法進行了分析,包括MOSFET晶體管、射頻電感、電阻。歸納總結(jié)了一系列成熟的參數(shù)化單元設計方法,包括器件模塊設計法、相對圖形演算法、子單元復用設計法。提出了一種新的Pcell開發(fā)方式,即利用SKILL語言開發(fā)輸出輸入接口程序引入第三方EDA工具,實現(xiàn)Pcell跨平臺的工藝仿真參數(shù)計算和反饋,并以金屬電容的計算自動化展開研究。通過參數(shù)化定義金屬電容、模塊化設計以及利用Cadence SKILL程序編譯,成功地實踐了這一新的開發(fā)方式。這一方法能夠支持電路設計者在前端電路設計時就能方便快速得計算金屬電容,并能把計算結(jié)果實時反饋于電路中,大大地提高了電路設計效率。利用SKILL圖形化編程實現(xiàn)對PDK配套自動化輔助工具的開發(fā),包括前端器件模型配置圖形界面、后端物理驗證DRC/LVS/PEX圖形交互界面的開發(fā)。同時利用腳本語言編程對PDK進行自動化安裝、配置,以滿足不... 

【文章來源】：上海交通大學上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：93 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

PDK設計應用流程

PDK開發(fā)流程

參數(shù)化MOS管的版圖

【參考文獻】：
期刊論文
[1]對射頻電感實現(xiàn)PDK參數(shù)化和建模的難點處理[J]. 王浩,黃勇,吳林.  中國集成電路. 2010(12)
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[3]基于Skill語言的版圖數(shù)據(jù)處理程序開發(fā)[J]. 李遙,楊偉,溫玉.  微電子學. 2009(02)
[4]雙極場引晶體管:III .短溝道電化電流理論（雙MOS柵純基）（英文）[J]. 揭斌斌,薩支唐.  半導體學報. 2008(01)
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碩士論文
[1]集成電路工藝設計包（PDK）驗證軟件的設計和實現(xiàn)[D]. 朱能勇.中國科學院大學（工程管理與信息技術學院） 2014
[2]0.13um工藝平臺下RF PDK套件的開發(fā)與自動化設計[D]. 吳林.上海交通大學 2013
[3]PAS平臺下PDK套件的開發(fā)與分析[D]. 肖杰明.上海交通大學 2008



本文編號：3236827