伴隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和集成電路制造工藝的不斷進(jìn)步和快速的發(fā)展,作為電力電子技術(shù)的重要基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍也在不斷的擴(kuò)展,廣泛應(yīng)用在電網(wǎng)、家用電器、交通運(yùn)輸、通信和國(guó)防等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)和社會(huì)生活的方方面面。經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展,功率器件經(jīng)歷了以雙極型三極管（BJT）和可關(guān)斷晶閘管（GTO）為代表的流控器件、以功率MOSFET和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）為代表的壓控器件再到以新型半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的Si C和Ga N等新型功率器件的發(fā)展歷程,與之相應(yīng)的是功率驅(qū)動(dòng)電路也從最早的由分立器件搭建在PCB上的板級(jí)電路發(fā)展為現(xiàn)在的將驅(qū)動(dòng)電路和功率器件集成到一起的智能功率集成電路（SPIC）。相信在日益強(qiáng)調(diào)節(jié)能環(huán)保的今天,功率半導(dǎo)體一定能得到更快的發(fā)展和更加廣闊的應(yīng)用前景。本文所涉及的三相無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路是基于華潤(rùn)上華（CSMC）1μm 600V BCD工藝平臺(tái)進(jìn)行設(shè)計(jì)的。在該芯片的接口電路模塊中引入了施密特觸發(fā)器,從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)3.3V CMOS電平和5V TTL電平兼容的設(shè)計(jì)要求,電源電壓幅值范圍為10²0V,直流供電電壓最高可達(dá)600V。集成了欠壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：70 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

010-2017年中國(guó)IGBT需求情況

IGBT等效電路圖

IGBT簡(jiǎn)化等效電路圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]論電機(jī)在汽車中的應(yīng)用[J]. 張藝越.  山東工業(yè)技術(shù). 2019(03)
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[3]IGBT的結(jié)構(gòu)及在電動(dòng)汽車上應(yīng)用的關(guān)鍵控制因素[J]. 馬南,潘圣臨,王建武,劉順平,蓋裕禎.  時(shí)代汽車. 2018(11)
[4]改革開放40年電力工業(yè)發(fā)展歷程與成就[J]. 白玫.  中國(guó)能源. 2018(10)
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博士論文
[1]高壓IGBT功率模塊瞬態(tài)直通模型與關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 華慶.電子科技大學(xué) 2015
[2]基于高低壓兼容工藝的高壓驅(qū)動(dòng)集成電路[D]. 喬明.電子科技大學(xué) 2008



本文編號(hào)：3228368