硒化物是一類層狀半導體二維材料,由于其高的光吸收效率、寬的光致發(fā)光響應、良好的空氣穩(wěn)定性和歐姆接觸性在近年年來備受關注。薄層硒化銦具有良好的電子和光電子特性,是一類很有前途的二維半導體材料。薄層硒化銦的能帶結構和光學性質都強烈依賴層數(shù)變化,因此研究層數(shù)的變化對于薄層硒化銦中振動模式以及激發(fā)態(tài)性質的影響對于其在光電器件上的應用研究尤其重要。本課題利用用機械剝離法分別在玻璃基底和硅基底上制備薄層硒化銦。其厚度及表面形貌利用原子力顯微鏡方法進行表征,并探究一種快速、高效、能夠大規(guī)模檢測薄膜厚度的光學對比度方法。通過測量不同層數(shù)薄層硒化銦的拉曼光譜、吸收光譜及熒光光譜,分析入射光偏振角度及層數(shù)變化對拉曼特征峰的影響,理論解釋1-2 nm硒化銦中A²_1g拉曼共振峰消失的原因,并給出拉曼峰強度與硒化銦厚度之間的依賴關系;擬合計算出不同厚度硒化銦的吸收峰以及熒光峰位置,研究熒光光譜隨硒化銦片層厚度的變化規(guī)律,理論解釋薄層硒化銦中直接帶隙-間接帶隙之間的過渡與交繞機制。通過瞬態(tài)顯微吸收成像技術研究薄層硒化銦的動力學曲線,探究不同厚度硒化銦材料中載流子的弛豫動... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：57 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

InSe的晶體結構(a)側視圖；(b)俯視圖

γ-InSe的堆積[28]

- 4 - 1-3 由 DFT 理論計算出的單層 InSe 能帶結構比較復雜，主要包括 、β、γ、 、和。二維材料的光電學性質和化學性質與2Se3之間性能也有很大的差異。其中 泛的研究。 -In2Se3為直接帶隙半導體Se3的晶體結構示意圖。在 定的溫度，但兩者的晶格常數(shù)不同，因此電學性為無序的纖鋅礦和單斜晶體結構[33]。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]用等效反射面計算多層介質的振幅反射系數(shù)[J]. 雷清儒.  西南民族學院學報(自然科學版). 1993(03)

博士論文
[1]硒化銦納米薄膜的制備及其電學和光電性能研究[D]. 馮偉.哈爾濱工業(yè)大學 2017



本文編號：3222083