硒化物是一類層狀半導(dǎo)體二維材料,由于其高的光吸收效率、寬的光致發(fā)光響應(yīng)、良好的空氣穩(wěn)定性和歐姆接觸性在近年年來備受關(guān)注。薄層硒化銦具有良好的電子和光電子特性,是一類很有前途的二維半導(dǎo)體材料。薄層硒化銦的能帶結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)都強(qiáng)烈依賴層數(shù)變化,因此研究層數(shù)的變化對于薄層硒化銦中振動模式以及激發(fā)態(tài)性質(zhì)的影響對于其在光電器件上的應(yīng)用研究尤其重要。本課題利用用機(jī)械剝離法分別在玻璃基底和硅基底上制備薄層硒化銦。其厚度及表面形貌利用原子力顯微鏡方法進(jìn)行表征,并探究一種快速、高效、能夠大規(guī)模檢測薄膜厚度的光學(xué)對比度方法。通過測量不同層數(shù)薄層硒化銦的拉曼光譜、吸收光譜及熒光光譜,分析入射光偏振角度及層數(shù)變化對拉曼特征峰的影響,理論解釋1-2 nm硒化銦中A²_1g拉曼共振峰消失的原因,并給出拉曼峰強(qiáng)度與硒化銦厚度之間的依賴關(guān)系;擬合計(jì)算出不同厚度硒化銦的吸收峰以及熒光峰位置,研究熒光光譜隨硒化銦片層厚度的變化規(guī)律,理論解釋薄層硒化銦中直接帶隙-間接帶隙之間的過渡與交繞機(jī)制。通過瞬態(tài)顯微吸收成像技術(shù)研究薄層硒化銦的動力學(xué)曲線,探究不同厚度硒化銦材料中載流子的弛豫動... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：57 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

InSe的晶體結(jié)構(gòu)(a)側(cè)視圖；(b)俯視圖

γ-InSe的堆積[28]

- 4 - 1-3 由 DFT 理論計(jì)算出的單層 InSe 能帶結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，主要包括 、β、γ、 、和。二維材料的光電學(xué)性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)與2Se3之間性能也有很大的差異。其中 泛的研究。 -In2Se3為直接帶隙半導(dǎo)體Se3的晶體結(jié)構(gòu)示意圖。在 定的溫度，但兩者的晶格常數(shù)不同，因此電學(xué)性為無序的纖鋅礦和單斜晶體結(jié)構(gòu)[33]。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]用等效反射面計(jì)算多層介質(zhì)的振幅反射系數(shù)[J]. 雷清儒.  西南民族學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 1993(03)

博士論文
[1]硒化銦納米薄膜的制備及其電學(xué)和光電性能研究[D]. 馮偉.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2017



本文編號：3222083