內(nèi)置觸發(fā)方式下單級(jí)FLTD觸發(fā)脈沖參數(shù)及影響因素
發(fā)布時(shí)間:2021-06-09 14:16
為了研究快放電直線型變壓器驅(qū)動(dòng)源(FLTD)內(nèi)置觸發(fā)方式下觸發(fā)脈沖的波形參數(shù)及其影響因素,利用有限積分法(FIT)仿真軟件,建立單級(jí)FLTD場(chǎng)路仿真模型,獲得了到達(dá)各主支路開關(guān)的觸發(fā)脈沖參數(shù)及其影響因素,并在1MA FLTD實(shí)驗(yàn)平臺(tái)上進(jìn)行了驗(yàn)證。仿真結(jié)果表明:內(nèi)置觸發(fā)方式下,觸發(fā)支路電感由100nH增大至350nH時(shí),觸發(fā)脈沖前沿由49.3ns增大至60.1ns;在觸發(fā)支路置地電阻小于200Ω時(shí),觸發(fā)脈沖幅值隨電阻增大而增大,在電阻高于200Ω后,置地電阻不影響觸發(fā)脈沖幅值;角向傳輸線特征阻抗在58.0~76.5Ω范圍變化時(shí)對(duì)觸發(fā)脈沖波形參數(shù)影響較小。
【文章來源】:西安交通大學(xué)學(xué)報(bào). 2020,54(06)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
單級(jí)FLTD內(nèi)置觸發(fā)方式下感應(yīng)腔結(jié)構(gòu)示意圖
角向傳輸線與觸發(fā)金屬環(huán)結(jié)構(gòu)布局如圖2所示,角向傳輸線和觸發(fā)金屬環(huán)均由寬8mm、高4mm的矩形銅環(huán)制成,內(nèi)嵌在聚乙烯中間絕緣板中,中間絕緣板上下兩側(cè)均為電容器。為了精簡(jiǎn)模型,電容器結(jié)構(gòu)僅保留內(nèi)側(cè)金屬極板與絕緣外殼。觸發(fā)脈沖沿角向傳輸線、觸發(fā)金屬環(huán)與兩側(cè)電容器金屬極板構(gòu)成帶狀傳輸線傳輸,傳輸線介質(zhì)為中間絕緣板和電容器絕緣外殼。2.2.2 觸發(fā)支路和主支路等效電路
觸發(fā)支路等效電路如圖3所示,C1、C2為觸發(fā)支路電容,均為50nF,C1充正電,C2充負(fù)電,R為充電置地電阻,為2kΩ,S為觸發(fā)開關(guān),L為回路電感,約160nH。主支路等效電路如圖4所示,R為觸發(fā)隔離電阻,為450Ω,L為隔離電阻寄生電感,約2μH,C為開關(guān)分布電容與主支路電容串聯(lián)等效電容,約3pF。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]快Z箍縮百太瓦級(jí)脈沖驅(qū)動(dòng)源概念設(shè)計(jì)的發(fā)展[J]. 孫鳳舉,邱愛慈,魏浩,姜曉峰,王志國(guó). 現(xiàn)代應(yīng)用物理. 2017(02)
[2]基于感應(yīng)腔支路和角向線LTD新型觸發(fā)技術(shù)[J]. 孫鳳舉,曾江濤,梁天學(xué),魏浩,姜曉峰,王志國(guó),尹佳輝,邱愛慈. 現(xiàn)代應(yīng)用物理. 2016(01)
[3]0.1 Hz 800 kA驅(qū)動(dòng)源模塊研制[J]. 梁川,周林,孫鳳舉,曾江濤,李名加,王真. 強(qiáng)激光與粒子束. 2016(01)
[4]中物院快脈沖直線型變壓器驅(qū)動(dòng)源技術(shù)研究進(jìn)展[J]. 陳林,王勐,鄒文康,周良驥,郭帆,謝衛(wèi)平. 高電壓技術(shù). 2015(06)
碩士論文
[1]時(shí)域有限積分技術(shù)的周期邊界理論及實(shí)現(xiàn)[D]. 馮波.東南大學(xué) 2015
本文編號(hào):3220733
【文章來源】:西安交通大學(xué)學(xué)報(bào). 2020,54(06)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
單級(jí)FLTD內(nèi)置觸發(fā)方式下感應(yīng)腔結(jié)構(gòu)示意圖
角向傳輸線與觸發(fā)金屬環(huán)結(jié)構(gòu)布局如圖2所示,角向傳輸線和觸發(fā)金屬環(huán)均由寬8mm、高4mm的矩形銅環(huán)制成,內(nèi)嵌在聚乙烯中間絕緣板中,中間絕緣板上下兩側(cè)均為電容器。為了精簡(jiǎn)模型,電容器結(jié)構(gòu)僅保留內(nèi)側(cè)金屬極板與絕緣外殼。觸發(fā)脈沖沿角向傳輸線、觸發(fā)金屬環(huán)與兩側(cè)電容器金屬極板構(gòu)成帶狀傳輸線傳輸,傳輸線介質(zhì)為中間絕緣板和電容器絕緣外殼。2.2.2 觸發(fā)支路和主支路等效電路
觸發(fā)支路等效電路如圖3所示,C1、C2為觸發(fā)支路電容,均為50nF,C1充正電,C2充負(fù)電,R為充電置地電阻,為2kΩ,S為觸發(fā)開關(guān),L為回路電感,約160nH。主支路等效電路如圖4所示,R為觸發(fā)隔離電阻,為450Ω,L為隔離電阻寄生電感,約2μH,C為開關(guān)分布電容與主支路電容串聯(lián)等效電容,約3pF。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]快Z箍縮百太瓦級(jí)脈沖驅(qū)動(dòng)源概念設(shè)計(jì)的發(fā)展[J]. 孫鳳舉,邱愛慈,魏浩,姜曉峰,王志國(guó). 現(xiàn)代應(yīng)用物理. 2017(02)
[2]基于感應(yīng)腔支路和角向線LTD新型觸發(fā)技術(shù)[J]. 孫鳳舉,曾江濤,梁天學(xué),魏浩,姜曉峰,王志國(guó),尹佳輝,邱愛慈. 現(xiàn)代應(yīng)用物理. 2016(01)
[3]0.1 Hz 800 kA驅(qū)動(dòng)源模塊研制[J]. 梁川,周林,孫鳳舉,曾江濤,李名加,王真. 強(qiáng)激光與粒子束. 2016(01)
[4]中物院快脈沖直線型變壓器驅(qū)動(dòng)源技術(shù)研究進(jìn)展[J]. 陳林,王勐,鄒文康,周良驥,郭帆,謝衛(wèi)平. 高電壓技術(shù). 2015(06)
碩士論文
[1]時(shí)域有限積分技術(shù)的周期邊界理論及實(shí)現(xiàn)[D]. 馮波.東南大學(xué) 2015
本文編號(hào):3220733
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