專(zhuān)用集成電路（Application-Specific Integrated Circuit,ASIC）是針對(duì)特殊用戶或者特定電子系統(tǒng)的需求而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)、制造的集成電路,它一般用在普通商業(yè)芯片無(wú)法滿足需求的地方,比如高輻照環(huán)境的高能粒子物理實(shí)驗(yàn)、空間緊湊的天文成像系統(tǒng)等。在高能粒子物理實(shí)驗(yàn)領(lǐng)域,CERN為ATLAS/CMS探測(cè)器開(kāi)發(fā)了抗輻照的高速數(shù)據(jù)收發(fā)芯片——低功耗千兆數(shù)據(jù)收發(fā)器（LpGBTX）,用來(lái)傳輸前端電子學(xué)產(chǎn)生的海量數(shù)據(jù)。它采用商業(yè)65 nm CMOS工藝設(shè)計(jì),數(shù)據(jù)帶寬可達(dá)10.24 Gb/s,總劑量效益達(dá)到200 Mrad.在此高速數(shù)據(jù)傳輸芯片中,時(shí)序的裕量變得非常緊張,良好的時(shí)序關(guān)系是數(shù)據(jù)傳輸正確的基本保證,為此開(kāi)展了時(shí)序相位高精度調(diào)節(jié)的研究工作,包括數(shù)據(jù)相位調(diào)整和時(shí)鐘相位調(diào)整。為了保證前端電子學(xué)數(shù)據(jù)能被LpGBTX正確地采樣到,研究設(shè)計(jì)了 Phase-Aligner用來(lái)移動(dòng)數(shù)據(jù)的相位,使之與時(shí)鐘對(duì)齊;研究設(shè)計(jì)了 Phase-Shifter,將輸入時(shí)鐘在360°范圍內(nèi),以48.8 ps的精度調(diào)節(jié)后輸出給前端電子學(xué),做系統(tǒng)間時(shí)鐘同步用。Phase-Aligner和Phase-... 

【文章來(lái)源】：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：129 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１．１世界上首款集成電路??

電路所能容納的晶體管數(shù)量從最初的數(shù)十個(gè)發(fā)展到目前的數(shù)十億個(gè)，并且仍??在高速增長(zhǎng)中，其增長(zhǎng)的規(guī)律基本符合摩爾定律（Ｍｏｏｒｅ’ｓＬａｗ）：集成電路中晶??體管的數(shù)量每隔１８?jìng)�(gè)月翻一番［８］。晶體管數(shù)量的變化趨勢(shì)如圖１．２所示。??Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ?Ｐ？ｒ?Ｄｉ？??１〇？??１０，Ｃ?５１２Ｍ?１Ｇ．２６?＊??＿?Ｍｅｍｏｒｙ?２５６Ｍ?發(fā)參??Ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｏｒ?＃??１６Ｍ?ＰｗｔｈＢｔｆ?４??Ｐｔｎｔｋｍｆ?ｌｉｉ??１Ｍ?．?發(fā)．?ＰｅｎｔｉｕｎＰ?ｎ??１０ｓ?７ｃｃＫ?’?Ｐｔｒｔｋｉｎｆ??１０Ｓ?？Ｉｆ?？?＾?＾??ｉ〇＜?，潑鏤?—??％?８０明??價(jià)?４００４?＾????１〇２?ＩＣ?Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ?ｔｏ?Ｇｏｒｄｏｎ?Ｍｏｏｒｅ；ｓ?Ｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎ??１０、．，????１０°????＊６０?’６５?７０?７５?’８０?，８５?’９０?９５?，００?，０５?，１０??圖１．２晶體管數(shù)量變化趨勢(shì)??１Ｃ集成規(guī)模的增長(zhǎng)得益于ＭＯＳ管尺寸的不斷縮小，其特征尺寸從早期的幾??微米，發(fā)展到如今的１０ｉｉｍ以下，己經(jīng)快逼近硅基半導(dǎo)體的極限，變化趨勢(shì)如圖??１．３所示。尺寸的縮小也基本遵循摩爾定律：每?jī)赡曜笥腋乱淮?

電路所能容納的晶體管數(shù)量從最初的數(shù)十個(gè)發(fā)展到目前的數(shù)十億個(gè)，并且仍??在高速增長(zhǎng)中，其增長(zhǎng)的規(guī)律基本符合摩爾定律（Ｍｏｏｒｅ’ｓＬａｗ）：集成電路中晶??體管的數(shù)量每隔１８?jìng)�(gè)月翻一番［８］。晶體管數(shù)量的變化趨勢(shì)如圖１．２所示。??Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ?Ｐ？ｒ?Ｄｉ？??１〇？??１０，Ｃ?５１２Ｍ?１Ｇ．２６?＊??＿?Ｍｅｍｏｒｙ?２５６Ｍ?發(fā)參??Ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｏｒ?＃??１６Ｍ?ＰｗｔｈＢｔｆ?４??Ｐｔｎｔｋｍｆ?ｌｉｉ??１Ｍ?．?發(fā)．?ＰｅｎｔｉｕｎＰ?ｎ??１０ｓ?７ｃｃＫ?’?Ｐｔｒｔｋｉｎｆ??１０Ｓ?？Ｉｆ?？?＾?＾??ｉ〇＜?，潑鏤?—??％?８０明??價(jià)?４００４?＾????１〇２?ＩＣ?Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ?ｔｏ?Ｇｏｒｄｏｎ?Ｍｏｏｒｅ；ｓ?Ｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎ??１０、．，????１０°????＊６０?’６５?７０?７５?’８０?，８５?’９０?９５?，００?，０５?，１０??圖１．２晶體管數(shù)量變化趨勢(shì)??１Ｃ集成規(guī)模的增長(zhǎng)得益于ＭＯＳ管尺寸的不斷縮小，其特征尺寸從早期的幾??微米，發(fā)展到如今的１０ｉｉｍ以下，己經(jīng)快逼近硅基半導(dǎo)體的極限，變化趨勢(shì)如圖??１．３所示。尺寸的縮小也基本遵循摩爾定律：每?jī)赡曜笥腋乱淮?

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]CCD噪聲分析及處理技術(shù)[J]. 許秀貞,李自田,薛利軍.  紅外與激光工程. 2004(04)



本文編號(hào)：3219007