IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種利用MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）驅(qū)動(dòng)BJT（Bipolar Junction Transistor）實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通的復(fù)合型器件,兼具M(jìn)OSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn),自問(wèn)世以來(lái)得到了廣泛的研究與應(yīng)用。但由于IGBT不具備反向?qū)ǖ哪芰?在實(shí)際應(yīng)用中通常需要與續(xù)流二極管（Free Wheeling Diode,FWD）反并聯(lián)使用。最初是直接將IGBT與FWD通過(guò)引線焊接到一起使用,但這種方法不可避免地引入了寄生電感且成本較高。為了解決上述問(wèn)題,工程師們將IGBT和反并聯(lián)FWD集成在同一塊芯片上,提出了逆導(dǎo)型IGBT（Reverse-Conducting IGBT,RC-IGBT）。然而,由于常規(guī)RC-IGBT（Conventional RC-IGBT,Con-RC-IGBT）的固有結(jié)構(gòu),器件正向?qū)ǖ倪^(guò)程中會(huì)產(chǎn)生電壓回跳（snapback）現(xiàn)象,這限制了Con-RC-IGBT的應(yīng)用。因此,本文利用Sentaurus TCAD仿真軟件... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

幾種典型功率半導(dǎo)體器件的工作頻率和應(yīng)用范圍[11]

電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文2的優(yōu)點(diǎn)——高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降，其耐壓級(jí)別從600V跨度到6500V，因此在中頻和中功率的電氣應(yīng)用中，IGBT幾乎完全取代了功率BJT[8-10]。由于IGBT具有優(yōu)越的性能，目前已成為功率半導(dǎo)體器件的主流器件之一，應(yīng)用領(lǐng)域包括了工業(yè)控制、消費(fèi)電子、軌道交通、新能源汽車(chē)等等，具有廣闊的發(fā)展空間[12-14]。全球IGBT主要的供應(yīng)廠商包括英飛凌（Infineon）、ABB、三菱(Mitsubishi)、仙童（Fairchild）、艾塞斯（IXYS）、意法半導(dǎo)體（ST）等，電壓等級(jí)從400V跨度到6500V。我國(guó)的IGBT廠商主要包括中車(chē)時(shí)代電氣、比亞迪、士蘭微、中科君芯等，以600V到1200V的IGBT產(chǎn)品所占比重最大。圖1-22010-2018年中國(guó)IGBT產(chǎn)量及需求量[15]圖1-32018年全球各廠商占中國(guó)IGBT市場(chǎng)份額[16]中國(guó)信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)發(fā)布的《2020-2026年中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局分析及投資趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》中的數(shù)據(jù)顯示，盡管我國(guó)國(guó)產(chǎn)IGBT的產(chǎn)量呈逐年上升的趨勢(shì)，但仍存在較大的缺口。圖1-2給出了2010-2018年中國(guó)IGBT產(chǎn)量及需求量的變化，國(guó)產(chǎn)IGBT產(chǎn)量從2010年的190萬(wàn)只增長(zhǎng)到2018年的1115萬(wàn)只，需

電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文2的優(yōu)點(diǎn)——高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降，其耐壓級(jí)別從600V跨度到6500V，因此在中頻和中功率的電氣應(yīng)用中，IGBT幾乎完全取代了功率BJT[8-10]。由于IGBT具有優(yōu)越的性能，目前已成為功率半導(dǎo)體器件的主流器件之一，應(yīng)用領(lǐng)域包括了工業(yè)控制、消費(fèi)電子、軌道交通、新能源汽車(chē)等等，具有廣闊的發(fā)展空間[12-14]。全球IGBT主要的供應(yīng)廠商包括英飛凌（Infineon）、ABB、三菱(Mitsubishi)、仙童（Fairchild）、艾塞斯（IXYS）、意法半導(dǎo)體（ST）等，電壓等級(jí)從400V跨度到6500V。我國(guó)的IGBT廠商主要包括中車(chē)時(shí)代電氣、比亞迪、士蘭微、中科君芯等，以600V到1200V的IGBT產(chǎn)品所占比重最大。圖1-22010-2018年中國(guó)IGBT產(chǎn)量及需求量[15]圖1-32018年全球各廠商占中國(guó)IGBT市場(chǎng)份額[16]中國(guó)信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)發(fā)布的《2020-2026年中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局分析及投資趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》中的數(shù)據(jù)顯示，盡管我國(guó)國(guó)產(chǎn)IGBT的產(chǎn)量呈逐年上升的趨勢(shì)，但仍存在較大的缺口。圖1-2給出了2010-2018年中國(guó)IGBT產(chǎn)量及需求量的變化，國(guó)產(chǎn)IGBT產(chǎn)量從2010年的190萬(wàn)只增長(zhǎng)到2018年的1115萬(wàn)只，需

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]逆導(dǎo)型IGBT發(fā)展綜述[J]. 劉志紅,湯藝,盛況.  中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2019(02)
[2]IGBT:概念、發(fā)展與新結(jié)構(gòu)（英文）[J]. Florin Udrea.  大功率變流技術(shù). 2017(05)
[3]IGBT新技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)[J]. 張金平,趙倩,高巍,李澤宏,任敏,張波.  大功率變流技術(shù). 2017(05)
[4]準(zhǔn)諧振型電磁爐工作機(jī)理分析與調(diào)功方法研究[J]. 孫向東,柳樹(shù)有,趙欣榮,劉安東.  電力電子技術(shù). 2015(05)
[5]功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀及展望[J]. 孫偉鋒,張波,肖勝安,蘇巍,成建兵.  中國(guó)科學(xué):信息科學(xué). 2012(12)
[6]IGBT應(yīng)用從工業(yè)領(lǐng)域走向消費(fèi)電子[J]. 張煜.  集成電路應(yīng)用. 2011(07)
[7]IGBT的發(fā)展[J]. 郭紅霞,楊金明.  電源世界. 2006(09)

碩士論文
[1]單管感應(yīng)加熱電源的設(shè)計(jì)與改進(jìn)[D]. 池上洋.浙江大學(xué) 2017



本文編號(hào)：3217010