最近幾年隨著網(wǎng)絡(luò)的普及信息技術(shù)的發(fā)展,各種電子產(chǎn)品迅速發(fā)展,對(duì)電源管理類的芯片的需求也急劇增長起來。電源管理芯片是電路系統(tǒng)中重要的組成部分,它的主要職責(zé)是對(duì)能量進(jìn)行控制、存儲(chǔ)和分配。特別是限制于電池材料的停滯不前,電池的容量一直沒有大的進(jìn)步,而電子產(chǎn)品的能耗卻越來越高,更加凸顯出電源管理芯片的重要性。電源管理芯片主要分為三種:開關(guān)電源、電荷泵式電源和低壓差線性穩(wěn)壓器。其中占市場份額最高的就是低壓差線性穩(wěn)壓器,即LDO（Low Dropout Regulator）。LDO作為電源管理芯片相對(duì)于其他種類的電源管理芯片,主要具有結(jié)構(gòu)簡單、面積小、容易集成、噪聲小、功耗低等特點(diǎn),適合在低功耗的射頻標(biāo)簽之類的電子產(chǎn)品。LDO的電路的典型結(jié)構(gòu)由誤差放大器、帶隙基準(zhǔn)電路、功率管、反饋網(wǎng)絡(luò)等部分組成。典型的LDO電路通常會(huì)在片外接一個(gè)大電容,用以確保電路系統(tǒng)的穩(wěn)定。而隨著電路的集成度提高,要求去掉片外電容,本文分析了LDO電路的環(huán)路穩(wěn)定性的特點(diǎn),用密勒補(bǔ)償?shù)姆椒▉肀ＷCLDO電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性,從而設(shè)計(jì)出一款集成度更高的無片外電容的LDO電路。本電路要應(yīng)用于RFID電子標(biāo)簽,因此對(duì)電路的瞬態(tài)響應(yīng)也要求更迅... 

【文章來源】：佛山科學(xué)技術(shù)學(xué)院廣東省

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

運(yùn)算放大器幅頻相頻仿真曲線

圖 2-8 運(yùn)算放大器幅頻相頻仿真曲線如圖 2-8 所示為為運(yùn)算放大器的增益和相位裕度仿真結(jié)果。從圖中可以看出運(yùn)器的直流增益為 64.7dB，相位裕度為 61.3°，接近理想的相位裕度 60°。2．運(yùn)算放大器的單位增益帶寬仿真結(jié)構(gòu) 根據(jù)單位增益帶寬的定義，即增益為 0d帶寬即為單位增益帶寬。因此可以通過測量增益來得到單位增益帶寬。帶寬z，滿足設(shè)計(jì)要求。

圖 2-10 運(yùn)算放大器 PSRR 仿真結(jié)果4．運(yùn)算放大器的參數(shù)對(duì)比 如圖 2-2 為本文提出的運(yùn)算放大器的參數(shù)對(duì)比�？梢钥吹奖疚倪\(yùn)放的單位增益帶寬較大，主要是為了滿足 RFID 電子標(biāo)簽要求的快速的瞬態(tài)響應(yīng)，可以說頻率越高，瞬態(tài)響應(yīng)越快。本文提出的運(yùn)放的增益相對(duì)于其他幾個(gè)運(yùn)放的增益來說較小，但是足夠本文中的電路使用。相位裕度雖然較小，但為 61.3°，相當(dāng)于理想相位裕度。因此，本文提出的運(yùn)放較好的平衡了增益和帶寬。表 2-2 本文提出的運(yùn)算放大器的參數(shù)對(duì)比類型指標(biāo)[5] [14] [26] 本文增益(dB) 95.18 85 89.8 64.7相位裕度 / 84° 82.9° 61.3°單位增益帶寬(Hz) 2.18M 756k 5.3M 25M

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[3]智能制造——“中國制造2025”的主攻方向[J]. 周濟(jì).  中國機(jī)械工程. 2015(17)
[4]一種超低壓差線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)[J]. 張皓博,胡永貴,李思穎,丁大勝,湯潔,丁鋒,王坤.  微電子學(xué). 2013(02)
[5]0.6μm CMOS工藝折疊共源共柵運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)[J]. 羅廣孝,馬海杰.  華北電力大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2008(03)

博士論文
[1]片上高性能CMOS電源轉(zhuǎn)換器的研究與設(shè)計(jì)[D]. 周前能.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2009

碩士論文
[1]低功耗低壓差線性穩(wěn)壓器研究與設(shè)計(jì)[D]. 陳琛.浙江大學(xué) 2017
[2]CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的溫度特性分析及設(shè)計(jì)[D]. 權(quán)穎.西安科技大學(xué) 2016
[3]高性能CMOS運(yùn)算放大器應(yīng)用研究與設(shè)計(jì)[D]. 古麗尼格爾·迪力夏提.北京交通大學(xué) 2016
[4]CMOS全差分放大器的研究與設(shè)計(jì)[D]. 李帥三.黑龍江大學(xué) 2015
[5]無片外電容的低壓差線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)[D]. 呂春燕.吉林大學(xué) 2015
[6]無片外電容的LDO穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)[D]. 張南陽.安徽大學(xué) 2015
[7]一種高精度LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)[D]. 鄒建寧.西安電子科技大學(xué) 2015
[8]一種無片外電容LDO線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)[D]. 韋曉月.電子科技大學(xué) 2014
[9]寬輸入輸出超低靜態(tài)電流高PSRR LDO的設(shè)計(jì)研究[D]. 黃月娥.西安電子科技大學(xué) 2014
[10]一款高電源抑制比低壓差線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)[D]. 杜皎.復(fù)旦大學(xué) 2012



本文編號(hào)：3215519