Be摻雜對InGaAsN/GaAs量子阱性能的提高（英文）
發(fā)布時(shí)間：2021-06-06 10:57
InGaAsN/GaAs量子阱中進(jìn)行鈹（Be）元素重?fù)诫s能顯著提高其光學(xué)性質(zhì),并且發(fā)光波長發(fā)生了紅移。X射線衍射搖擺曲線清楚地證實(shí)了鈹摻雜抑制了InGaAsN（Be）/GaAs量子阱在退火過程中的應(yīng)力釋放。對比退火前,退火后的沒有進(jìn)行鈹摻雜的量子阱樣品的量子阱的X射線搖擺曲線衍射峰明顯向GaAs襯底峰偏移;而對于摻鈹?shù)牧孔于鍢悠范?這樣的偏移要小很多。
【文章來源】：發(fā)光學(xué)報(bào). 2017,38(08)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】：7 頁
【文章目錄】：
1 Introduction
2 Experiments
3 Results and Discussion
4 Conclusion
本文編號(hào)：3214244
【文章來源】：發(fā)光學(xué)報(bào). 2017,38(08)北大核心EICSCD
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2 Experiments
3 Results and Discussion
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