InGaAsN/GaAs量子阱中進(jìn)行鈹（Be）元素重?fù)诫s能顯著提高其光學(xué)性質(zhì),并且發(fā)光波長(zhǎng)發(fā)生了紅移。X射線衍射搖擺曲線清楚地證實(shí)了鈹摻雜抑制了InGaAsN（Be）/GaAs量子阱在退火過(guò)程中的應(yīng)力釋放。對(duì)比退火前,退火后的沒(méi)有進(jìn)行鈹摻雜的量子阱樣品的量子阱的X射線搖擺曲線衍射峰明顯向GaAs襯底峰偏移;而對(duì)于摻鈹?shù)牧孔于鍢悠范?這樣的偏移要小很多。 

【文章來(lái)源】：發(fā)光學(xué)報(bào). 2017,38(08)北大核心EICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)

【文章目錄】：
1 Introduction
2 Experiments
3 Results and Discussion
4 Conclusion



本文編號(hào)：3214244