芯片漏電會對LED燈珠穩(wěn)定性和壽命造成很大影響,為此本文對LED樣品的漏電失效機理進行了研究。在微光顯微鏡觀測下,樣品的芯片正電極位置存在漏電異常。利用氬離子精密刻蝕系統(tǒng)對樣品進行截面制樣,并采用掃描電鏡進行觀察,分析可能導(dǎo)致漏電的原因。SEM下觀測到漏電樣品芯片正極出現(xiàn)空洞,且空洞對應(yīng)的外延層出現(xiàn)較明顯的裂縫。分析認為,在焊接時電極產(chǎn)生空洞,在后續(xù)高溫回流焊、封裝和使用過程中壓力和應(yīng)力集中在裂縫處,使GaN外延層受損導(dǎo)致漏電。研究結(jié)果為LED芯片漏電檢測手段、機理分析提供了良好的參考方案,并為解決芯片裂縫和空洞問題提供了理論參考方向。 

【文章來源】：發(fā)光學(xué)報. 2020,41(11)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 實 驗
3 結(jié)果與討論
    3.1 漏電原因分析
        3.1.1 引線焊點情況分析
        3.1.2 抗靜電能力分析
        3.1.3 芯片內(nèi)部形貌分析
    3.2 失效機制分析
4 結(jié) 論



本文編號：3198965