測(cè)量了高功率976nm InGaAs量子阱半導(dǎo)體激光器在低于1/30閾值電流下的低頻電噪聲,提出了以1/f噪聲時(shí)域信號(hào)小波系數(shù)相關(guān)性與電流的關(guān)系來分析噪聲來源的方法.結(jié)合1/f噪聲源理論模型及小波變換系數(shù)的特性,完成了不同偏置電流下純1/f噪聲、加白噪聲后的1/f噪聲兩種情況下的對(duì)比實(shí)驗(yàn).實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:所測(cè)的低頻噪聲表現(xiàn)為明顯的1/f噪聲,對(duì)于純1/f噪聲,噪聲幅度和小波系數(shù)相關(guān)性在判斷噪聲來源時(shí)具有相同的結(jié)果;對(duì)于加白噪聲后的1/f噪聲,噪聲幅度變化很大且不能正確表征1/f噪聲來源,而部分尺度下的小波系數(shù)相關(guān)性仍能作為判斷噪聲來源的可靠參量. 

【文章來源】：光子學(xué)報(bào). 2016,45(06)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 原理
2 實(shí)驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)
3 實(shí)驗(yàn)及結(jié)果
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3198833