分析了不同光窗口位置和不同光窗口面積對(duì)SiGe/Si異質(zhì)結(jié)光電晶體管（HPT）光響應(yīng)特性的影響.光窗口位于發(fā)射區(qū)時(shí),HPTs吸收路徑長(zhǎng),會(huì)產(chǎn)生較多的光生載流子,在發(fā)射結(jié)界面產(chǎn)生較大的發(fā)射結(jié)光生電壓,有利于發(fā)射結(jié)的電子注入,因此獲得較大的集電極輸出電流和光增益.當(dāng)入射光波長(zhǎng)為650 nm,集電極電壓為2.0 V,光窗口面積為10μm×10μm時(shí),SiGe/SiHPT的光增益最大可以達(dá)到9.24.光窗口位于基區(qū)時(shí),在較大的入射光功率下,HPTs吸收區(qū)的光生載流子密度大,光生空穴發(fā)生快速馳豫的可能性增加,一定程度上緩解了空穴遷移率低對(duì)器件工作速度的限制,提高了光特征頻率.當(dāng)入射光波長(zhǎng)650 nm,集電極電壓2.0 V,光窗口面積為10μm×10μm時(shí),SiGe/SiHPT的光特征頻率可達(dá)16.75 GHz.對(duì)于能夠獲得更高光增益光特征頻率優(yōu)值的發(fā)射區(qū)光窗口SiGe/SiHPTs,當(dāng)光窗口面積從3μm×10μm到50μm×10μm逐漸增加時(shí),電子在發(fā)射結(jié)界面的有效注入面積增加從而光增益逐漸增大;同時(shí)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的結(jié)電容也隨之增大,RC延遲時(shí)間增長(zhǎng),光特征頻率卻逐漸減小.光增益·光特征頻率優(yōu)值... 

【文章來源】：光子學(xué)報(bào). 2020,49(08)北大核心EICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：10 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 SiGe/Si光電晶體管器件結(jié)構(gòu)
2 光窗口位置對(duì)SiGe/Si光電晶體管光響應(yīng)的影響
    2.1 光窗口位置對(duì)光增益的影響
    2.2 光窗口位置對(duì)光特征頻率的影響
3 光窗口面積對(duì)SiGe/Si光電晶體管光響應(yīng)的影響
    3.1 光窗口面積對(duì)光增益的影響
    3.2 光窗口面積對(duì)光特征頻率的影響
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
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