發(fā)布時間：2021-05-18 21:57

　　微通道板（MCP）在微光夜視、圖像光子計數(shù)器以及粒子探測等諸多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。隨著性能要求的提高,傳統(tǒng)玻璃微通道板不再滿足要求,急需尋求新技術(shù)替代。硅微通道板因為其高空間分辨率等優(yōu)點展現(xiàn)出良好發(fā)展前景。本文研究了硅微通板光電化學(xué)腐蝕技術(shù)。研究了硅微通道陣列光電化學(xué)腐蝕光激發(fā)特性影響因素。測試了n型硅光電化學(xué)腐蝕的光譜響應(yīng)特性,并對其進(jìn)行了理論分析。研究了歐姆接觸層制備方式對光激發(fā)特性的影響。設(shè)計磷擴(kuò)散與離子注入工藝兩種工藝制備歐姆接觸層,對兩種樣品進(jìn)行光電流測試,對比發(fā)現(xiàn)磷擴(kuò)散工藝制備的歐姆接觸層的光電流更高。采用磨角染色法測量歐姆接觸層厚度,研究了氧化工藝對歐姆接觸層的影響。研究了溫度對硅微通道陣列形貌影響,發(fā)現(xiàn)過低的溫度,出現(xiàn)硅微通道停止生長現(xiàn)象,過高的溫度,硅微通道陣列末端孔徑明顯的擴(kuò)大。探討了溫度與空穴遷移率、擴(kuò)散系數(shù)的關(guān)系。研究了溫度對硅微通道陣列腐蝕速率的影響。對不同溫度下制備的硅微通道陣列腐蝕深度測量,計算其腐蝕速率。采用交流阻抗法研究不同溫度下界面等效電路的電荷轉(zhuǎn)移電阻,得到電荷轉(zhuǎn)移電阻與溫度的關(guān)系,發(fā)現(xiàn)隨著溫度升高電荷轉(zhuǎn)移電阻減小,腐蝕速率加快。對不同溫度下硅微通道... 

【文章來源】：長春理工大學(xué)吉林省

【文章頁數(shù)】：69 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 微通道板概述
        1.1.1 MCP結(jié)構(gòu)與工作原理
        1.1.2 MCP的應(yīng)用
        1.1.3 MCP制備技術(shù)發(fā)展
    1.2 硅微通道板技術(shù)
        1.2.1 硅微通道板的特點
        1.2.2 硅微通道陣列制備方法
        1.2.3 硅微通道陣列電化學(xué)腐蝕研究進(jìn)展
    1.3 研究內(nèi)容與意義
        1.3.1 主要研究內(nèi)容
        1.3.2 研究意義
第二章 n型宏孔硅光電化學(xué)腐蝕原理及電化學(xué)分析方法
    2.1 HF溶液中宏孔硅的溶解過程
    2.2 n型宏孔硅形成機(jī)理
    2.3 電化學(xué)分析方法
        2.3.1 線性掃描伏安法
        2.3.2 Mott-Schottky曲線掃描法
        2.3.3 電化學(xué)阻抗譜法
    2.4 本章小結(jié)
第三章 光激發(fā)特性對光電化學(xué)腐蝕影響研究
    3.1 硅光電化學(xué)腐蝕光譜響應(yīng)特性研究
        3.1.1 硅光電化學(xué)腐蝕光譜響應(yīng)曲線
        3.1.2 光源對光激發(fā)特性影響研究
    3.2 歐姆接觸層對光激發(fā)特性的影響研究
        3.2.1 歐姆接觸制備工藝對光激發(fā)特性影響研究
        3.2.2 氧化工藝對光激發(fā)特性影響研究
    3.3 本章小結(jié)
第四章 溫度對硅微通道陣列光電化學(xué)腐蝕影響研究
    4.1 溫度對硅微通道陣列形貌的影響研究
    4.2 溫度對硅微通道陣列腐蝕速率影響研究
    4.3 溫度對暗電流的影響研究
    4.4 本章小結(jié)
第五章 電解液組成對硅微通道陣列光電化學(xué)腐蝕影響研究
    5.1 HF溶液濃度對光電化學(xué)腐蝕的影響研究
        5.1.1 HF溶液濃度對通道形貌的影響
        5.1.2 HF溶液濃度對腐蝕速率的影響
    5.2 乙醇對光電化學(xué)腐蝕的影響研究
    5.3 表面活性劑對光電化學(xué)腐蝕的影響研究
        5.3.1 表面活性劑對電化學(xué)腐蝕速率的影響
        5.3.2 不同類型表面活性劑下的表觀活化能
        5.3.3 表面活性劑對n-Si/HF界面的影響
    5.4 本章小結(jié)
第六章 硅微通道陣列整形技術(shù)研究
    6.1 硅微通道陣列整形技術(shù)的必要性
    6.2 硅微通道陣列整形技術(shù)研究
        6.2.1 硅微通道陣列整形實驗
        6.2.2 硅微通道陣列TMAH溶液腐蝕特性研究
        6.2.3 高開口面積比硅微通道陣列的制備
    6.3 本章小結(jié)
結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
發(fā)表論文和科研情況說明


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：3194552