微通道板（MCP）在微光夜視、圖像光子計(jì)數(shù)器以及粒子探測(cè)等諸多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。隨著性能要求的提高,傳統(tǒng)玻璃微通道板不再滿足要求,急需尋求新技術(shù)替代。硅微通道板因?yàn)槠涓呖臻g分辨率等優(yōu)點(diǎn)展現(xiàn)出良好發(fā)展前景。本文研究了硅微通板光電化學(xué)腐蝕技術(shù)。研究了硅微通道陣列光電化學(xué)腐蝕光激發(fā)特性影響因素。測(cè)試了n型硅光電化學(xué)腐蝕的光譜響應(yīng)特性,并對(duì)其進(jìn)行了理論分析。研究了歐姆接觸層制備方式對(duì)光激發(fā)特性的影響。設(shè)計(jì)磷擴(kuò)散與離子注入工藝兩種工藝制備歐姆接觸層,對(duì)兩種樣品進(jìn)行光電流測(cè)試,對(duì)比發(fā)現(xiàn)磷擴(kuò)散工藝制備的歐姆接觸層的光電流更高。采用磨角染色法測(cè)量歐姆接觸層厚度,研究了氧化工藝對(duì)歐姆接觸層的影響。研究了溫度對(duì)硅微通道陣列形貌影響,發(fā)現(xiàn)過低的溫度,出現(xiàn)硅微通道停止生長(zhǎng)現(xiàn)象,過高的溫度,硅微通道陣列末端孔徑明顯的擴(kuò)大。探討了溫度與空穴遷移率、擴(kuò)散系數(shù)的關(guān)系。研究了溫度對(duì)硅微通道陣列腐蝕速率的影響。對(duì)不同溫度下制備的硅微通道陣列腐蝕深度測(cè)量,計(jì)算其腐蝕速率。采用交流阻抗法研究不同溫度下界面等效電路的電荷轉(zhuǎn)移電阻,得到電荷轉(zhuǎn)移電阻與溫度的關(guān)系,發(fā)現(xiàn)隨著溫度升高電荷轉(zhuǎn)移電阻減小,腐蝕速率加快。對(duì)不同溫度下硅微通道... 

【文章來源】：長(zhǎng)春理工大學(xué)吉林省

【文章頁數(shù)】：69 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 微通道板概述
        1.1.1 MCP結(jié)構(gòu)與工作原理
        1.1.2 MCP的應(yīng)用
        1.1.3 MCP制備技術(shù)發(fā)展
    1.2 硅微通道板技術(shù)
        1.2.1 硅微通道板的特點(diǎn)
        1.2.2 硅微通道陣列制備方法
        1.2.3 硅微通道陣列電化學(xué)腐蝕研究進(jìn)展
    1.3 研究?jī)?nèi)容與意義
        1.3.1 主要研究?jī)?nèi)容
        1.3.2 研究意義
第二章 n型宏孔硅光電化學(xué)腐蝕原理及電化學(xué)分析方法
    2.1 HF溶液中宏孔硅的溶解過程
    2.2 n型宏孔硅形成機(jī)理
    2.3 電化學(xué)分析方法
        2.3.1 線性掃描伏安法
        2.3.2 Mott-Schottky曲線掃描法
        2.3.3 電化學(xué)阻抗譜法
    2.4 本章小結(jié)
第三章 光激發(fā)特性對(duì)光電化學(xué)腐蝕影響研究
    3.1 硅光電化學(xué)腐蝕光譜響應(yīng)特性研究
        3.1.1 硅光電化學(xué)腐蝕光譜響應(yīng)曲線
        3.1.2 光源對(duì)光激發(fā)特性影響研究
    3.2 歐姆接觸層對(duì)光激發(fā)特性的影響研究
        3.2.1 歐姆接觸制備工藝對(duì)光激發(fā)特性影響研究
        3.2.2 氧化工藝對(duì)光激發(fā)特性影響研究
    3.3 本章小結(jié)
第四章 溫度對(duì)硅微通道陣列光電化學(xué)腐蝕影響研究
    4.1 溫度對(duì)硅微通道陣列形貌的影響研究
    4.2 溫度對(duì)硅微通道陣列腐蝕速率影響研究
    4.3 溫度對(duì)暗電流的影響研究
    4.4 本章小結(jié)
第五章 電解液組成對(duì)硅微通道陣列光電化學(xué)腐蝕影響研究
    5.1 HF溶液濃度對(duì)光電化學(xué)腐蝕的影響研究
        5.1.1 HF溶液濃度對(duì)通道形貌的影響
        5.1.2 HF溶液濃度對(duì)腐蝕速率的影響
    5.2 乙醇對(duì)光電化學(xué)腐蝕的影響研究
    5.3 表面活性劑對(duì)光電化學(xué)腐蝕的影響研究
        5.3.1 表面活性劑對(duì)電化學(xué)腐蝕速率的影響
        5.3.2 不同類型表面活性劑下的表觀活化能
        5.3.3 表面活性劑對(duì)n-Si/HF界面的影響
    5.4 本章小結(jié)
第六章 硅微通道陣列整形技術(shù)研究
    6.1 硅微通道陣列整形技術(shù)的必要性
    6.2 硅微通道陣列整形技術(shù)研究
        6.2.1 硅微通道陣列整形實(shí)驗(yàn)
        6.2.2 硅微通道陣列TMAH溶液腐蝕特性研究
        6.2.3 高開口面積比硅微通道陣列的制備
    6.3 本章小結(jié)
結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
發(fā)表論文和科研情況說明


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Enhancement of R6G fluorescence by N-type porous silicon deposited with gold nanoparticles[J]. 莫家慶,蔣靜,翟振剛,施福貴,賈振紅.  Optoelectronics Letters. 2017(01)
[2]應(yīng)用于中子照相的熱中子敏感微通道板[J]. 潘京生,顧燕,孫建寧,蘇德坦,陸強(qiáng).  光學(xué)精密工程. 2015(03)
[3]納米級(jí)電子束光刻技術(shù)及ICP深刻蝕工藝技術(shù)的研究[J]. 李群慶,張立輝,陳墨,范守善.  中國科學(xué)（E輯:技術(shù)科學(xué)）. 2009(06)
[4]二維電子倍增器及其新發(fā)展[J]. 端木慶鐸,田景全,姜會(huì)林,姜德龍,李野,盧耀華,富麗晨.  紅外技術(shù). 1999(06)
[5]紫外像增強(qiáng)管的研究[J]. 申屠浩,徐漢成,顧肇業(yè).  光電子技術(shù). 1999(02)
[6]X射線像增強(qiáng)器用微通道板的研制[J]. 繆坤治,寧進(jìn).  中國建材科技. 1997(06)



本文編號(hào)：3194552