AlGaN基寬禁帶半導(dǎo)體材料的連續(xù)可調(diào)節(jié)禁帶范圍是3.4-6.1e V,發(fā)光波長覆蓋200-365 nm的紫外波段,是制備深紫外發(fā)光二極管（DUV-LED）不可替代的半導(dǎo)體材料體系。本文通過對AlGaN基深紫外發(fā)光二極管中結(jié)構(gòu)的優(yōu)化來改善載流子的注入特性（減少泄漏電流和增加空穴注入）,并開展系統(tǒng)的研究工作,取得的主要創(chuàng)新性研究結(jié)果如下:（1）研究了調(diào)制錐形AlGaN層結(jié)構(gòu)對AlGaN基深紫外發(fā)光二極管發(fā)光性質(zhì)的影響。為了便于對比分析,分別設(shè)計了傳統(tǒng)單一鋁組分的p型AlGaN層結(jié)構(gòu)、傳統(tǒng)錐形AlGaN層結(jié)構(gòu)、單邊調(diào)制錐形AlGaN層結(jié)構(gòu)以及雙邊調(diào)制錐形AlGaN層結(jié)構(gòu)。通過使用APSYS軟件仿真,結(jié)果表明在深紫外發(fā)光二極管中使用調(diào)制錐形AlGaN層結(jié)構(gòu)能夠顯著的減少電子泄漏,增加空穴注入效率,從而提高輻射復(fù)合速率,改善器件的綜合性能。尤其是雙邊調(diào)制的錐形AlGaN層結(jié)構(gòu),能夠進一步增強電子局域能力,減少效率驟降,使器件的性能得以進一步提升。（2）通過對AlGaN基深紫外發(fā)光二極管在階梯狀p型AlGaN層插入阱的設(shè)計,對比分析了傳統(tǒng)單一鋁組分的p型AlGaN層結(jié)構(gòu)與階梯狀p型AlGaN層結(jié)... 

【文章來源】：安徽工程大學(xué)安徽省

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 課題研究的背景與意義
    1.2 AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(LED)的研究概況
    1.3 AlGaN基深紫外LED研究面臨的問題和挑戰(zhàn)
    1.4 本論文的主要工作
第2章 深紫外LED的研究基礎(chǔ)
    2.1 LED的工作原理及性能參數(shù)
    2.2 Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)與能帶結(jié)構(gòu)
    2.3 載流子的注入特性
    2.4 高溫金屬有機化合物化學(xué)氣相沉積外延系統(tǒng)
    2.5 材料物性的表征方法
第3章 調(diào)制錐形p型層對深紫外LED發(fā)光性質(zhì)影響的研究
    3.1 引言
    3.2 調(diào)制錐形p型層對深紫外LED發(fā)光性質(zhì)的影響
    3.3 調(diào)制錐形p型層影響深紫外LED的物理機制
    3.4 本章小結(jié)
第4章 插入阱式階梯狀p型層對深紫外LED發(fā)光性質(zhì)影響的研究
    4.1 引言
    4.2 插入阱式階梯形p型層對深紫外LED發(fā)光性質(zhì)的影響
    4.3 插入阱式階梯狀p型層影響深紫外LED的物理機制
    4.4 本章小結(jié)
第5章 V型末位量子壘(LQB)對深紫外LED發(fā)光性質(zhì)影響的研究
    5.1 引言
    5.2 V型LQB對深紫外LED發(fā)光性質(zhì)的影響
    5.3 V型LQB影響深紫外LED的物理機制
    5.4 本章小結(jié)
結(jié)論與展望
參考文獻
攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文目錄
致謝


【參考文獻】：
期刊論文
[1]Experimental study of GaN based blue light emitting diodes with a thin AlInN layer in front of the electron blocking layer[J]. 路綱,王波,葛運旺.  Optoelectronics Letters. 2015(04)



本文編號：3193716