隨著對(duì)太赫茲波的研究越來(lái)越深入,太赫茲技術(shù)被應(yīng)用于軍事醫(yī)療安全等各個(gè)領(lǐng)域當(dāng)中。由于缺少合適的太赫茲源和太赫茲探測(cè)器,太赫茲波（0.1～1OTHz,1THz=1000GHz）與其他頻段相比認(rèn)識(shí)和應(yīng)用相對(duì)較少,是阻礙了太赫茲技術(shù)迅速發(fā)展的一個(gè)重要原因。一種新型的平面納米電子器件——自開(kāi)關(guān)二級(jí)管（SSD）可以作為太赫茲探測(cè)器,滿足了寄生電容小可以大規(guī)模集成,同時(shí)在室溫下可操作等其他太赫茲探測(cè)器所不具備的優(yōu)點(diǎn),所以自開(kāi)關(guān)二極管在太赫茲探測(cè)器領(lǐng)域具有重大的應(yīng)用意義。本篇論文主要探究的內(nèi)容如下:首先是對(duì)自開(kāi)關(guān)二極管的結(jié)構(gòu)以及工作原理進(jìn)行調(diào)研學(xué)習(xí),探究了基于SiC襯底AlGaN/GaN材料作為制備自開(kāi)關(guān)二極管的優(yōu)點(diǎn),接著對(duì)基于SiC襯底AlGaN/GaN材料樣品進(jìn)行了研究,主要研究了 AlGaN/GaN材料的光透過(guò)、結(jié)構(gòu)、表面形貌等特性。經(jīng)透過(guò)光譜測(cè)試樣品在可見(jiàn)光區(qū)域透過(guò)率平均值在65%以上;對(duì)樣品進(jìn)行了 XRD測(cè)試,樣品存在明顯的GaN（002）和AlGaN（004）的峰,展示出了 AlGaN/GaN的結(jié)晶度較好;同時(shí)對(duì)樣品進(jìn)行了表面以及斷面SEM測(cè)試,結(jié)果.顯示樣品表面較為光滑,斷面層與層之間界... 

【文章來(lái)源】：山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：74 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 太赫茲波與太赫茲技術(shù)
    1.2 太赫茲發(fā)射器
        1.2.1 基于脈沖激光的太赫茲發(fā)射器
        1.2.2 光混頻器
        1.2.3 白由電子激光器
        1.2.4 量子級(jí)聯(lián)激光器
        1.2.5 氣體激光器
        1.2.6 耿氏二極管
    1.3 太赫茲探測(cè)器
        1.3.1 時(shí)域系統(tǒng)
        1.3.2 測(cè)輻射熱計(jì)
        1.3.3 高萊探測(cè)器
        1.3.4 白開(kāi)關(guān)二極管
第二章 物理背景與實(shí)驗(yàn)技術(shù)
    2.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)
    2.2 二維電子氣
    2.3 金屬半導(dǎo)體接觸
        2.3.1 能帶圖與金屬半導(dǎo)體界面勢(shì)壘
        2.3.2 接觸電阻率
        2.3.3 傳輸線法
    2.4 微納加工制造技術(shù)
        2.4.1 電子束曝光技術(shù)
        2.4.2 干法刻蝕技術(shù)
    2.5 半導(dǎo)體表征技術(shù)
    2.6 高頻測(cè)試技術(shù)
第三章 基于SiC襯底生長(zhǎng)AlGaN/GaN材料的特性研究
    3.1 基于SiC襯底AlGaN/GaN材料的結(jié)構(gòu)
    3.2 基于SiC襯底AlGaN/GaN材料的性能測(cè)試
        3.2.1 基于SiC襯底AlGaN/GaN材料的透過(guò)率測(cè)試結(jié)果
        3.2.2 基于SiC襯底AlGaN/GaN材料的XRD測(cè)試結(jié)果
        3.2.3 基于SiC襯底AlGaN/GaN材料的SEM測(cè)試結(jié)果
    3.3 本章小結(jié)
第四章 基于AlGaN/GaN的自開(kāi)關(guān)二極管制備及特性研究
    4.1 基于SiC襯底AlGaN/GaN SSD的制造流程
    4.2 基于SiC襯底AlGaN/GaN SSD的I-V特性
    4.3 基于SiC襯底AlGaN/GaN SSD的高頻響應(yīng)特性
        4.3.1 溝道寬度對(duì)SSD高頻特性的影響
        4.3.2 溝道長(zhǎng)度對(duì)SSD高頻特性的影響
    4.4 基于SiC襯底AlGaN/GaN SSD的輸入功率與輸出電壓特性
    4.5 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
學(xué)位論文評(píng)閱及答辯情況表



本文編號(hào)：3193324