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面向5G移動(dòng)通信的LTE終端芯片自動(dòng)化測(cè)試方法研究設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

發(fā)布時(shí)間:2021-05-11 22:14
  移動(dòng)通信已進(jìn)入5GNR(New Radio)時(shí)代,終端基帶處理芯片作為用戶體驗(yàn)最核心的組成部分,成為5GNR技術(shù)研究的一個(gè)熱點(diǎn)和難點(diǎn)。5GNR系統(tǒng)面向用戶群體復(fù)雜而廣泛,致使5GNR組網(wǎng)復(fù)雜性需要兼顧,使得終端基帶處理芯片必須具備更大的規(guī)模和復(fù)雜度,這直接導(dǎo)致芯片的設(shè)計(jì)以及測(cè)試驗(yàn)證工作變得更復(fù)雜和困難。僅通過人工測(cè)試,不再能夠顯著提高產(chǎn)品生產(chǎn)率和勞動(dòng)效率。本論文研究?jī)?nèi)容來源于深圳市中興微電子技術(shù)有限公司的“基于LTE方向面向5G的自動(dòng)化平臺(tái)構(gòu)建研究”項(xiàng)目。論文針對(duì)面向5G的7520wisefoneV3多模軟基帶芯片產(chǎn)品,通過理論研究、功能分析、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)及測(cè)試驗(yàn)證,完成了“面向5G移動(dòng)通信的LTE終端芯片自動(dòng)化測(cè)試方法研究與實(shí)現(xiàn)”的課題目標(biāo)。論文主要工作包括:1.自動(dòng)化平臺(tái)的選型和自動(dòng)化平臺(tái)框架設(shè)計(jì)。2.針對(duì)7520V3單模功能,協(xié)議,功耗,性能,進(jìn)行了自動(dòng)化測(cè)試方法的論證,采用對(duì)發(fā)起端單步控制,異步自動(dòng)分析的模式,實(shí)現(xiàn)完全脫離人工執(zhí)行。3.針對(duì)7520V3不同的終端形態(tài),執(zhí)行自動(dòng)化測(cè)試結(jié)果并驗(yàn)證最終的數(shù)據(jù)結(jié)論。論文取得的主要研究成果如下:1.分析了 5G,Pre5G,與4GLTE測(cè)試特... 

【文章來源】:西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:91 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
符號(hào)對(duì)照表
縮略語對(duì)照表
第一章 緒論
    1.1 論文選題背景及意義
        1.1.1 論文選題的技術(shù)背景
        1.1.2 論文選題的意義
    1.2 主要研究工作以及成果
    1.3 論文主要內(nèi)容及結(jié)構(gòu)概述
    1.4 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.4.1 LTE研究現(xiàn)狀
        1.4.2 從LTE到NBIOT再到5GNR的關(guān)系
        1.4.3 LTE基帶測(cè)試研究現(xiàn)狀
    1.5 本章小結(jié)
第二章 面向LTE以及5GNR協(xié)議的基帶自動(dòng)化測(cè)試技術(shù)
    2.1 面向LTE及5GNR協(xié)議測(cè)試技術(shù)
        2.1.1 LTE技術(shù)特點(diǎn)分析
        2.1.2 5GNR技術(shù)特點(diǎn)分析
        2.1.3 LTE與5GNR協(xié)議的自動(dòng)化測(cè)試方法
    2.2 面向LTE及5GNR協(xié)議的測(cè)試平臺(tái)
        2.2.1 腳本執(zhí)行的自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái)
        2.2.2 測(cè)試平臺(tái)的硬件構(gòu)架
        2.2.3 測(cè)試平臺(tái)的軟件結(jié)構(gòu)
        2.2.4 自動(dòng)化平臺(tái)的選擇可采取以下幾種方式
    2.3 測(cè)試對(duì)象與測(cè)試需求
        2.3.1 測(cè)試對(duì)象
        2.3.2 協(xié)議信令功能測(cè)試
        2.3.3 功耗測(cè)試
        2.3.4 性能測(cè)試
    2.4 本章小結(jié)
第三章 協(xié)議信令自動(dòng)化測(cè)試目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)
    3.1 終端芯片協(xié)議測(cè)試的環(huán)境
    3.2 終端自動(dòng)化控制方案
    3.3 E-UTRAN網(wǎng)測(cè)控制方案
    3.4 離線自動(dòng)分析方案
    3.5 測(cè)試結(jié)果與結(jié)果分析
    3.6 本章小結(jié)
第四章 功耗自動(dòng)化測(cè)試目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)
    4.1 終端芯片功耗測(cè)試環(huán)境搭建
    4.2 USB插拔控制方案
    4.3 電流計(jì)的控制與數(shù)據(jù)分析方案
    4.4 測(cè)試結(jié)果與結(jié)果分析
    4.5 本章小結(jié)
第五章 性能測(cè)試自動(dòng)化測(cè)試目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)
    5.1 終端芯片性能測(cè)試環(huán)境搭建
    5.2 信道衰落儀的控制與數(shù)據(jù)分析方案
    5.3 測(cè)試結(jié)果與結(jié)果分析
    5.4 本章小結(jié)
第六章 測(cè)試效率的對(duì)比分析
    6.1 自動(dòng)化測(cè)試的優(yōu)化對(duì)比
    6.2 7520V3各測(cè)試結(jié)果對(duì)比
    6.3 面向量產(chǎn)的自動(dòng)化測(cè)試質(zhì)量產(chǎn)出模型分析
    6.4 面向量產(chǎn)的自動(dòng)化測(cè)試質(zhì)量產(chǎn)出成本模型分析
    6.5 本章小結(jié)
第七章 總結(jié)以及對(duì)后續(xù)工作的展望
參考文獻(xiàn)
致謝
作者簡(jiǎn)介



本文編號(hào):3182199

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