隨著氧化物薄膜晶體管（Thin Film Transistor,TFT）被廣泛應用于平板顯示領(lǐng)域,越來越多的材料已被證明是良好的有源層材料,如IGZO,ZTO,IZO等。隨著現(xiàn)代顯示技術(shù)的發(fā)展與進步,人們也對TFT器件性能提出了更高的要求,傳統(tǒng)的單層TFT由于遷移率較低、缺陷態(tài)較多、退火溫度較高等限制,已逐漸難以滿足工業(yè)應用的要求。僅通過改變有源層材料,已難以從根本上解決TFT器件的性能問題。針對以上問題,本文利用射頻磁控濺射技術(shù)制備了 IZO:Li/ZTO:Li雙有源層TFT,并通過優(yōu)化制備條件,成功提高了雙有源層器件的性能。本文主要研究工作如下:一、研究了不同的退火溫度對IZO:Li/ZTO:Li雙有源層TFT器件性能的影響。不同的退火溫度對于薄膜的電阻率等性質(zhì)有較大影響,因此將極大的影響器件性能。當退火溫度為400 ℃時,器件的最佳性能為遷移率達到26.2 cm2/Vs,閾值電壓為4.3V,開關(guān)比為1.3×107;二、研究了在相同的退火溫度下,不同有源層厚度的IZO:Li/ZTO:Li雙有源層TFT器件的性能。作為對比,本文也研究了在相同的退火溫度下,IZO:Li及ZTO:Li ... 

【文章來源】：北京交通大學北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：54 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
致謝
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 薄膜晶體管的歷史背景
    1.2 薄膜晶體管的應用及研究現(xiàn)狀
    1.3 薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)、原理及性能表征
    1.4 本文的研究目標及選題意義
    1.5 論文的主要內(nèi)容和章節(jié)安排
第二章 退火溫度對IZO:LI/ZTO:LI TFT性能的影響
    2.1 IZO:LI/ZTO:LI雙有源層TFT的制備
    2.2 不同退火溫度下的IZO:LI/ZTO:LI雙有源層TFT性能分析
    2.3 本章小結(jié)
第三章 有源層厚度對IZO:LI/ZTO:LI TFT性能的影響
    3.1 TFT器件的制備
    3.2 不同有源層厚度的TFT器件性能分析
    3.3 本章小結(jié)
第四章 氬氧比對IZO:LI/ZTO:LI TFT性能的影響
    4.1 IZO:LI/ZTO:LI雙有源層TFT器件的制備
    4.2 不同氬氧比下的IZO:LI/ZTO:LI雙有源層TFT器件性能分析
    4.3 本章小結(jié)
第五章 結(jié)論
參考文獻
作者簡歷及攻讀碩士學位期間取得的研究成果
學位論文數(shù)據(jù)集


【參考文獻】：
期刊論文
[1]退火溫度對ZnO薄膜晶體管電特性的影響[J]. 劉玉榮,任力飛,楊任花,韓靜,姚若河,溫智超,徐海紅,許佳雄.  華南理工大學學報(自然科學版). 2011(09)

博士論文
[1]氧化銦基薄膜晶體管的制備與性能研究[D]. 李彬.北京交通大學 2016

碩士論文
[1]InZnO:N薄膜晶體管的研制[D]. 彭云飛.北京交通大學 2016



本文編號：3181539