用非平衡格林函數理論和緊束縛模型近似計算長溝道彈道輸運p型碳納米管場效應管中電流強度.研究當場效應管介質（SiO₂）中存在兩個帶電缺陷時,載流子散射所引起的電流強度減小和柵極閾值電壓偏移量與缺陷位置的關系.介質中兩個缺陷所帶電荷Q₁=Q₂=+e（-e為電子電荷）,都靠近源極或者都靠近漏極,或者一個電荷靠近源極另一個電荷靠近漏極.在工作狀態(tài)下,所引起的電流強度相對減小比介質中只存在單個正電荷Q=+e且靠近源極（或漏極）時所引起的電流強度相對減小大得多.如果兩個正電荷都在溝道中央附近,隨著兩個電荷的軸向距離減小,柵極閾值電壓偏移的絕對值明顯增加.柵極閾值電壓偏移可達到-0.35 V. 

【文章來源】：計算物理. 2020,37(03)北大核心CSCD

【文章頁數】：13 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 計算理論
2 數值結果
    2.1 雙缺陷電荷在溝道中央附近
    2.2 雙缺陷電荷均靠近源(或漏)極
    2.3 一個電荷在溝道中央另一個電荷靠近源(或漏)極
3 結論


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3179932