三基色氮/氧化物熒光粉的制備、性能及低壓FED應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2021-05-08 07:37
近年來,場發(fā)射顯示器(FED)由于具有薄平板、自發(fā)光、寬視角、低功耗等優(yōu)點(diǎn)成為炙手可熱的新一代平板顯示器。發(fā)展至今,實(shí)現(xiàn)低壓全彩場發(fā)射顯示需要解決的問題還很多,首當(dāng)其沖的是陽極熒光粉在低電壓激發(fā)下的低發(fā)光效率。目前為止還沒有一種熒光粉能夠真正滿足低壓場發(fā)射顯示的要求,所以尋找低壓FED用新型三基色熒光粉成為了研究熱點(diǎn)。本論文針對上述低壓FED顯示器件的應(yīng)用背景和需求,開展了如下部分的研究:.一、Si共摻AlN:RE2+(RE2+=Mn2+,Eu2+)熒光粉的制備及其光學(xué)性能在相對較低的反應(yīng)溫度和常壓燒結(jié)的工藝條件下,采用傳統(tǒng)的固相法成功合成了高亮度的AlN:Si,RE2+(RE2+= Mn2+,Eu2+)熒光粉,系統(tǒng)研究了 Si3N4、SiC作為Si源和不同摻雜離子濃度對AlN:RE2+(RE2+=Mn2+,Eu2+)熒光粉的...
【文章來源】:華東師范大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:79 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
論文摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 場發(fā)射顯示器及其基本原理
1.1.1 平板顯示技術(shù)
1.1.2 場發(fā)射顯示器及其基本原理
1.2 場發(fā)射顯示器用熒光粉的性能要求
1.2.1 發(fā)光亮度
1.2.2 發(fā)光效率
1.2.3 發(fā)光亮度飽和性
1.2.4 熒光粉的導(dǎo)電性
1.2.5 熒光粉的穩(wěn)定性
1.2.6 熒光粉的顆粒形貌
1.2.7 熒光粉的色純度
1.3 場發(fā)射顯示器用熒光粉的發(fā)展歷史和研究現(xiàn)狀
1.4 本論文的研究內(nèi)容
第二章 實(shí)驗(yàn)
2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
2.2 實(shí)驗(yàn)儀器與設(shè)備
2.3 樣品表征方法
2.3.1 X射線衍射分析
2.3.2 場發(fā)射掃描電子顯微鏡分析
2.3.3 熒光光譜分析
2.3.4 固體核磁共振波譜儀
2.3.5 場發(fā)射測試系統(tǒng)
第三章 Si,Eu共摻雜AlN熒光粉的制備及發(fā)光性能
3.1 引言
3.2 Si~(4+),Eu~(2+)共摻AlN熒光粉的制備
3.3 AlN:Eu~(2+),Si~(4+)熒光粉的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能
3.3.1 Eu~(2+)濃度對AlN熒光粉的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響
3.3.2 Si_3N_4作為Si源共摻對AlN:1.3%Eu~(2+)熒光粉的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響
3.3.3 SiC作為Si源共摻對AlN:1.3%Eu~(2+)熒光粉的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響
3.4 本章小結(jié)
第四章 Si,Mn共摻雜AlN熒光粉的制備及發(fā)光性能
4.1 引言
4.2 Si~(4+),Mn~(2+)共摻AlN熒光粉的制備
4.3 AlN:Mn~(2+),Si~(4+)熒光粉的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能
4.3.1 Mn~(2+)的摻雜濃度對AlN熒光粉的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響
4.3.2 助熔劑對AlN:Mn~(2+)熒光粉的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響
4.3.3 Si_3N_4作為Si源共摻對AlN:0.7%Mn~(2+)熒光粉的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響
4.3.4 SiC作為Si源共摻對AlN:0.7%Mn~(2+)熒光粉的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響
4.4 本章小結(jié)
第五章 Zn_2GeO_4:Mn~(2+)和Zn_(1+x)Ga_(2-2x)Ge_xO_4熒光粉的制備及發(fā)光性能
5.1 引言
5.2 Zn_2GeO_4:Mn~(2+)熒光粉制備及發(fā)光性能
5.2.1 Zn_2GeO_4:Mn~(2+)熒光粉的制備
5.2.2 Mn~(2+)摻雜濃度對Zn_2GeO_4熒光粉的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響
5.3 Zn_(1+x)Ga_(2-2x)Ge_xO_4熒光粉的制備和發(fā)光性能
5.3.1 Zn_(1+x)Ga_(2-2x)Ge_xO_4熒光粉的制備
5.3.2 Ge/Ga比例對Zn_(1+x)Ga_(2-2x)Ge_xO_4熒光粉的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響
5.4 本章小結(jié)
第六章 AlN基和Zn_2GeO_4基熒光粉場發(fā)射性能的研究
6.1 場發(fā)射顯示器陽極的制備
6.1.1 清洗ITO玻璃
6.1.2 調(diào)配熒光粉和漿料
6.1.3 FED陽極熒光粉屏的制備
6.1.4 場發(fā)射性能檢測
6.2 結(jié)果與討論
6.2.1 Si共摻AlN:Mn~(2+)紅色熒光粉的低壓場發(fā)射性能
6.2.2 Si共摻AlN:En~(2+)藍(lán)色熒光粉的低壓場發(fā)射性能
6.2.3 Zn_2GeO_4:Mn~(2+)綠色熒光粉的低壓場發(fā)射性能
6.2.4 三基色熒光粉混合制成的陽極熒光粉的低壓場發(fā)射性能
6.2.5 Zn_(1+x)Ga_(2-2x)Ge_xO_4單基質(zhì)自發(fā)射熒光粉的低壓場發(fā)射性能
6.3 本章小結(jié)
第七章 結(jié)論
碩士期間的發(fā)表論文和專利
致謝
參考文獻(xiàn)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]FED顯示技術(shù)及其制作工藝探究[J]. 王惠. 科技視界. 2016(18)
[2]場發(fā)射顯示器用藍(lán)色YVO4∶Tm3+納米熒光粉的制備及性能研究[J]. 唐鹿. 發(fā)光學(xué)報(bào). 2015(09)
[3]場發(fā)射陰極及其應(yīng)用的回顧與展望[J]. 李興輝,白國棟,李含雁,丁明清,馮進(jìn)軍,廖復(fù)疆. 真空電子技術(shù). 2015(02)
[4]Effects of flux on crystal structure and luminescent properties of nitroxides phosphors[J]. XIE An,SHI Yu,WANG Yu Wei. Science China(Physics,Mechanics & Astronomy). 2014(12)
[5]場發(fā)射平板顯示及光源的研究進(jìn)展[J]. 雷威,丁沭沂,張曉兵,王保平. 真空電子技術(shù). 2012(06)
[6]Yb3+共摻雜對Zn2GeO4:Mn2+綠色長余輝發(fā)光性能增強(qiáng)研究[J]. 孫中新. 無機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào). 2012(06)
[7]平板顯示技術(shù)的現(xiàn)狀與展望[J]. 丁沭沂,李馳. 電腦知識與技術(shù). 2010(34)
[8]場發(fā)射顯示器陰極結(jié)構(gòu)的發(fā)展[J]. 武懷玉,艾延平,趙富寶,王海軍. 現(xiàn)代顯示. 2010(04)
[9]場致發(fā)射顯示用熒光粉的發(fā)光特性檢測及實(shí)用檢測裝置[J]. 安吉宇,鄧超,孫鐵錚. 液晶與顯示. 2009(04)
[10]新型場致發(fā)射顯示器件的研究現(xiàn)狀與展望[J]. 王金嬋,楊楊,張曉兵,雷威,王琦龍,張宇寧. 真空. 2005(03)
本文編號:3174943
【文章來源】:華東師范大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:79 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
論文摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 場發(fā)射顯示器及其基本原理
1.1.1 平板顯示技術(shù)
1.1.2 場發(fā)射顯示器及其基本原理
1.2 場發(fā)射顯示器用熒光粉的性能要求
1.2.1 發(fā)光亮度
1.2.2 發(fā)光效率
1.2.3 發(fā)光亮度飽和性
1.2.4 熒光粉的導(dǎo)電性
1.2.5 熒光粉的穩(wěn)定性
1.2.6 熒光粉的顆粒形貌
1.2.7 熒光粉的色純度
1.3 場發(fā)射顯示器用熒光粉的發(fā)展歷史和研究現(xiàn)狀
1.4 本論文的研究內(nèi)容
第二章 實(shí)驗(yàn)
2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
2.2 實(shí)驗(yàn)儀器與設(shè)備
2.3 樣品表征方法
2.3.1 X射線衍射分析
2.3.2 場發(fā)射掃描電子顯微鏡分析
2.3.3 熒光光譜分析
2.3.4 固體核磁共振波譜儀
2.3.5 場發(fā)射測試系統(tǒng)
第三章 Si,Eu共摻雜AlN熒光粉的制備及發(fā)光性能
3.1 引言
3.2 Si~(4+),Eu~(2+)共摻AlN熒光粉的制備
3.3 AlN:Eu~(2+),Si~(4+)熒光粉的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能
3.3.1 Eu~(2+)濃度對AlN熒光粉的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響
3.3.2 Si_3N_4作為Si源共摻對AlN:1.3%Eu~(2+)熒光粉的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響
3.3.3 SiC作為Si源共摻對AlN:1.3%Eu~(2+)熒光粉的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響
3.4 本章小結(jié)
第四章 Si,Mn共摻雜AlN熒光粉的制備及發(fā)光性能
4.1 引言
4.2 Si~(4+),Mn~(2+)共摻AlN熒光粉的制備
4.3 AlN:Mn~(2+),Si~(4+)熒光粉的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能
4.3.1 Mn~(2+)的摻雜濃度對AlN熒光粉的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響
4.3.2 助熔劑對AlN:Mn~(2+)熒光粉的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響
4.3.3 Si_3N_4作為Si源共摻對AlN:0.7%Mn~(2+)熒光粉的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響
4.3.4 SiC作為Si源共摻對AlN:0.7%Mn~(2+)熒光粉的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響
4.4 本章小結(jié)
第五章 Zn_2GeO_4:Mn~(2+)和Zn_(1+x)Ga_(2-2x)Ge_xO_4熒光粉的制備及發(fā)光性能
5.1 引言
5.2 Zn_2GeO_4:Mn~(2+)熒光粉制備及發(fā)光性能
5.2.1 Zn_2GeO_4:Mn~(2+)熒光粉的制備
5.2.2 Mn~(2+)摻雜濃度對Zn_2GeO_4熒光粉的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響
5.3 Zn_(1+x)Ga_(2-2x)Ge_xO_4熒光粉的制備和發(fā)光性能
5.3.1 Zn_(1+x)Ga_(2-2x)Ge_xO_4熒光粉的制備
5.3.2 Ge/Ga比例對Zn_(1+x)Ga_(2-2x)Ge_xO_4熒光粉的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響
5.4 本章小結(jié)
第六章 AlN基和Zn_2GeO_4基熒光粉場發(fā)射性能的研究
6.1 場發(fā)射顯示器陽極的制備
6.1.1 清洗ITO玻璃
6.1.2 調(diào)配熒光粉和漿料
6.1.3 FED陽極熒光粉屏的制備
6.1.4 場發(fā)射性能檢測
6.2 結(jié)果與討論
6.2.1 Si共摻AlN:Mn~(2+)紅色熒光粉的低壓場發(fā)射性能
6.2.2 Si共摻AlN:En~(2+)藍(lán)色熒光粉的低壓場發(fā)射性能
6.2.3 Zn_2GeO_4:Mn~(2+)綠色熒光粉的低壓場發(fā)射性能
6.2.4 三基色熒光粉混合制成的陽極熒光粉的低壓場發(fā)射性能
6.2.5 Zn_(1+x)Ga_(2-2x)Ge_xO_4單基質(zhì)自發(fā)射熒光粉的低壓場發(fā)射性能
6.3 本章小結(jié)
第七章 結(jié)論
碩士期間的發(fā)表論文和專利
致謝
參考文獻(xiàn)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]FED顯示技術(shù)及其制作工藝探究[J]. 王惠. 科技視界. 2016(18)
[2]場發(fā)射顯示器用藍(lán)色YVO4∶Tm3+納米熒光粉的制備及性能研究[J]. 唐鹿. 發(fā)光學(xué)報(bào). 2015(09)
[3]場發(fā)射陰極及其應(yīng)用的回顧與展望[J]. 李興輝,白國棟,李含雁,丁明清,馮進(jìn)軍,廖復(fù)疆. 真空電子技術(shù). 2015(02)
[4]Effects of flux on crystal structure and luminescent properties of nitroxides phosphors[J]. XIE An,SHI Yu,WANG Yu Wei. Science China(Physics,Mechanics & Astronomy). 2014(12)
[5]場發(fā)射平板顯示及光源的研究進(jìn)展[J]. 雷威,丁沭沂,張曉兵,王保平. 真空電子技術(shù). 2012(06)
[6]Yb3+共摻雜對Zn2GeO4:Mn2+綠色長余輝發(fā)光性能增強(qiáng)研究[J]. 孫中新. 無機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào). 2012(06)
[7]平板顯示技術(shù)的現(xiàn)狀與展望[J]. 丁沭沂,李馳. 電腦知識與技術(shù). 2010(34)
[8]場發(fā)射顯示器陰極結(jié)構(gòu)的發(fā)展[J]. 武懷玉,艾延平,趙富寶,王海軍. 現(xiàn)代顯示. 2010(04)
[9]場致發(fā)射顯示用熒光粉的發(fā)光特性檢測及實(shí)用檢測裝置[J]. 安吉宇,鄧超,孫鐵錚. 液晶與顯示. 2009(04)
[10]新型場致發(fā)射顯示器件的研究現(xiàn)狀與展望[J]. 王金嬋,楊楊,張曉兵,雷威,王琦龍,張宇寧. 真空. 2005(03)
本文編號:3174943
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