隨著外延技術(shù)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不斷的進(jìn)步與突破,硅襯底InGaN基LED采用InGaN/GaN多量子阱（MQWs）作為有源區(qū)理論上可以覆蓋從近紫外到近紅外的寬光譜區(qū),使其在固態(tài)照明中非常具有吸引力。與藍(lán)光LED相比,綠光LED有源區(qū)中InGaN量子阱中In含量更高。目前來(lái)說(shuō),生長(zhǎng)高質(zhì)量、高In組分的InGaN量子阱仍具有挑戰(zhàn),導(dǎo)致綠光LED的發(fā)光效率明顯低于藍(lán)光LED。此外,典型的InGaN基LED器件外量子效率（EQE）隨注入電流增加而增大并取得最大值,而當(dāng)電流密度繼續(xù)增加時(shí),EQE卻不斷下降。此現(xiàn)象被稱為L(zhǎng)ED的效率droop效應(yīng),俄歇復(fù)合及載流子泄漏等諸多因素都可能導(dǎo)致效率droop。為了進(jìn)一步探索硅襯底InGaN基LED中發(fā)光機(jī)理,獲得綜合性能良好的LED器件,本論文通過對(duì)具有不同準(zhǔn)備層結(jié)構(gòu)的硅襯底InGaN基LED進(jìn)行分析。通過改變準(zhǔn)備層結(jié)構(gòu)來(lái)提高LED的綜合性能,研究了準(zhǔn)備層結(jié)構(gòu)對(duì)硅襯底InGaN基LED光電性能及可靠性的影響,主要取得了以下結(jié)論:1.通過實(shí)驗(yàn)和數(shù)值仿真兩種手段,研究了 n-AlGaN空穴阻擋層（HBL）對(duì)含V坑的硅襯底InGaN基綠光LED光電性能的影響,并首次在... 

【文章來(lái)源】：南昌大學(xué)江西省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：70 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 GaN基LED研究概述
    1.2 GaN基LED的發(fā)光效率及Droop效應(yīng)
        1.2.1 GaN基LED的發(fā)光效率
        1.2.2 GaN基LED的Droop效應(yīng)
    1.3 LED器件可靠性研究
        1.3.1 LED抗靜電性能
        1.3.2 LED電老化性能
    1.5 本論文的研究?jī)?nèi)容及行文安排
第2章 Si襯底GaN基LED效率的提升及性能表征方法
    2.1 高光效、高可靠性綠光GaN基LED的生長(zhǎng)
        2.1.1 無(wú)掩模側(cè)向外延技術(shù)
        2.1.2 V形坑調(diào)控技術(shù)
        2.1.3 準(zhǔn)備層設(shè)計(jì)
    2.2 GaN基LED性能表征技術(shù)
第3章 n-AlGaN對(duì)InGaN基綠光LED性能的影響
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗(yàn)
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 n-AlGaN對(duì)InGaN基綠光LED光電性能的影響
        3.3.2 器件仿真模擬分析
    3.4 本章小結(jié)
第4章 InGaN/GaN藍(lán)光量子阱準(zhǔn)備層對(duì)綠光LED光電及靜電性能的影響
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗(yàn)
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1 藍(lán)光量子阱準(zhǔn)備層對(duì)綠光LED光電性能的影響
        4.3.2 藍(lán)光量子阱準(zhǔn)備層對(duì)綠光LED靜電性能的影響
    4.4 本章小結(jié)
第5章 應(yīng)力弛豫對(duì)藍(lán)光和綠光LED器件老化性能的影響
    5.1 引言
    5.2 實(shí)驗(yàn)
    5.3 結(jié)果與討論
    5.4 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀學(xué)位期間的研究成果


【參考文獻(xiàn)】：
博士論文
[1]GaN/Si基綠光LED外延設(shè)計(jì)與效率提升研究[D]. 江興安.南昌大學(xué) 2019
[2]準(zhǔn)備層及量子阱區(qū)生長(zhǎng)條件對(duì)Si襯底GaN基LED性能影響的研究[D]. 齊維靖.南昌大學(xué) 2018
[3]硅基LED量子阱相關(guān)特性及芯片p面技術(shù)研究[D]. 王光緒.南昌大學(xué) 2012
[4]GaN材料的缺陷分布及工藝設(shè)計(jì)對(duì)器件性能的影響研究[D]. 王福學(xué).南京大學(xué) 2011

碩士論文
[1]硅襯底大功率GaN基LED的可靠性研究[D]. 劉描珍.南昌大學(xué) 2014



本文編號(hào)：3173879