為提高毫米波段倍頻器在低功耗下的工作帶寬,采用IHP130 nm SiGe BiCMOS工藝,設(shè)計了一種采用雙端注入（DEI）技術(shù)的毫米波寬鎖定范圍注入鎖定倍頻器。該注入鎖定倍頻器主要由諧波發(fā)生器和帶有尾電流源的振蕩器構(gòu)成,由巴倫產(chǎn)生差分信號雙端注入振蕩器的形式提高三次諧波注入強(qiáng)度,使其在E、W等波段輸出寬鎖定范圍和良好相位噪聲性能的三倍頻信號。仿真結(jié)果表明,注入鎖定倍頻器在工作電壓為1.2 V,輸入信號功率為0 dBm時,其鎖定范圍在57～105 GHz內(nèi)。在相同工作電壓和輸入信號功率下,輸入頻率為32 GHz時,一次、二次和四次諧波抑制大于20 dBc,功耗為9.1 mW。 

【文章來源】：微波學(xué)報. 2020,36(05)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
引 言
1 電路設(shè)計
    1.1 整體電路結(jié)構(gòu)設(shè)計
    1.2 諧波發(fā)生器設(shè)計
    1.3 核心振蕩器設(shè)計
2 版圖及仿真結(jié)果分析
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]W波段高效率二倍頻器研究[J]. 晏志祥,趙明華.  微波學(xué)報. 2010(S1)



本文編號：3173396