聚合物場(chǎng)效應(yīng)晶體管有著材料來源廣、可制備在柔性襯底上、制備工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、適合大批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn),近年來一直是有機(jī)光電子器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。但是由于聚合物材料存在溶劑互相影響的問題,所以在制備聚合物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的過程中,溶劑的選擇一直是一個(gè)難題。本文針對(duì)這一問題,提出了用聚合物的良性溶劑與不良溶劑來配制混合溶劑的思路,來解決聚合物薄膜間的相溶性問題,對(duì)基于P3HT/PMMA體系的聚合物場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行了如下兩方面的研究：（1）對(duì)P3HT/PMMA場(chǎng)效應(yīng)晶體管的功能層進(jìn)行研究。通過對(duì)不同溶液濃度旋涂成膜,發(fā)現(xiàn)使用50mg/ml PMMA的乙酸乙酯溶液在1000rpm轉(zhuǎn)速下旋涂40秒,可以得到400nm的PMMA膜,根據(jù)過去實(shí)驗(yàn)400nm適合作為器件絕緣層。提出使用聚合物材料的良性溶劑氯仿與不良溶劑環(huán)己烷,以3：7的體積比配成混合溶劑,來溶解P3HT半導(dǎo)體層材料。這樣就可以降低在旋涂P3HT半導(dǎo)體層時(shí)溶劑對(duì)PMMA絕緣層的影響,從而提高器件的成膜性,制備出分層明顯的雙層聚合物器件。（2）對(duì)P3HT/PMMA場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)化條件進(jìn)行探索。本文分別對(duì)退火方法、退火溫度和金屬電極的選取三... 

【文章來源】：北京交通大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：49 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
致謝
中文摘要
Abstract
目錄
1. 緒論
    1.1 有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)展
    1.2 有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理
    1.3 有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本參數(shù)
        1.3.1 閾值電壓
        1.3.2 場(chǎng)效應(yīng)遷移率
        1.3.3 電流開關(guān)比
        1.3.4 亞閾值斜率
    1.4 聚合物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的材料
        1.4.1 絕緣層材料
        1.4.2 聚合物場(chǎng)效應(yīng)材料
        1.4.3 電極材料
    1.5 本文工作
2. 聚合物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備與測(cè)量
    2.1 聚合物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備
        2.1.1 基片的清洗和前期處理
        2.1.2 絕緣層和半導(dǎo)體層溶液的配制
        2.1.3 絕緣層和半導(dǎo)體層的制備
        2.1.4 電極的蒸鍍
    2.2 聚合物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的測(cè)量
3. P3HT/PMMA聚合物場(chǎng)效應(yīng)晶體管功能層的研究
    3.1 P3HT/PMMA場(chǎng)效應(yīng)晶體管的器件結(jié)構(gòu)
    3.2 PMMA絕緣層的制備
    3.3 P3HT半導(dǎo)體層的制備及膜間的相溶性問題研究
    3.4 本章小結(jié)
4. P3HT/PMMA場(chǎng)效應(yīng)晶體管電學(xué)性能的提高
    4.1 基礎(chǔ)器件制備及測(cè)量
    4.2 針對(duì)半導(dǎo)體層P3HT前退火、后退火對(duì)器件性能的影響
        4.2.1 結(jié)果與分析
    4.3 P3HT的退火溫度對(duì)器件性能的影響
        4.3.1 結(jié)果與分析
    4.4 源漏電極材料對(duì)器件性能的影響
        4.4.1 結(jié)果與分析
    4.5 本章小結(jié)
5. 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
作者簡(jiǎn)介
學(xué)位論文數(shù)據(jù)集


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Effects of gate dielectric thickness and semiconductor thickness on device performance of organic field-effect transistors based on pentacene[J]. YI Ran,LOU ZhiDong,HU YuFeng,CUI ShaoBo,TENG Feng.  Science China（Technological Sciences）. 2014(06)
[2]高溫后退火對(duì)薄膜太陽能電池光電性能的影響[J]. 李志鋒,郭宏亮,周雨薇,王強(qiáng),章國安,張竹青.  南通大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2012(04)
[3]退火方式及PCBM陰極修飾層對(duì)聚合物太陽電池的影響[J]. 李文杰,張建軍,張亞萍,胡子陽,郝秋艷,趙穎,耿新華.  光電子.激光. 2010(11)



本文編號(hào)：3171539