絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率半導體模塊可靠性是生產(chǎn)應用中關注的重點。IGBT功率模塊封裝過程中,金屬底板對模塊的可靠性至關重要。在真空回流焊工藝環(huán)節(jié)過程中金屬底板承受熱應力產(chǎn)生翹曲,因此銅底板需要在封裝前預彎形成向上的弧形。銅底板同時是功率模塊的主要散熱通道,絕緣襯底與金屬底板之間的焊接層質量以及該焊接層的空洞率對IGBT模塊工作性能和長期可靠性具有直接影響。通過實驗研究同時考慮金屬底板弧度和焊層空洞率下的焊接工藝,為國產(chǎn)IGBT封裝技術提供了可靠的參考。 

【文章來源】：電力電子技術. 2020,54(09)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：4 頁

【參考文獻】：
期刊論文
[1]基于加速老化試驗IGBT性能退化特征參量的可靠性評估[J]. 曾東,孫林,周雒維,李小剛,孫鵬菊.  電工電能新技術. 2019(07)
[2]封裝技術對功率半導體模塊性能的影響[J]. 景巍,張浩.  電力電子技術. 2018(08)
[3]應用于第7代IGBT模塊的SLC封裝技術[J]. 馬先奎,張興,宋高升.  電力電子技術. 2018(08)
[4]焊接工藝對IGBT模塊焊接空洞率的影響[J]. 林焯澎,曾世堂,何天賢.  焊接技術. 2018(04)
[5]大功率IGBT模塊并聯(lián)均流問題研究[J]. 孫強,王雪茹,曹躍龍.  電力電子技術. 2004(01)
[6]IGBT模塊封裝熱應力研究[J]. 王彥剛,武力,崔雪青,吳武臣,P.Jacbo,M.Held.  電力電子技術. 2000(06)



本文編號：3154974