研究了單面拋光中有蠟貼片工藝對(duì)拋光后4英寸（1英寸=2.54 cm）SiC晶片總厚度變化（TTV）和翹曲度的影響。分別選擇固體蠟和液體蠟進(jìn)行貼片實(shí)驗(yàn),采用平面度測(cè)量?jī)x檢測(cè)加工前后晶片的TTV和翹曲度,采用數(shù)顯千分表測(cè)量貼片及單面拋光后晶片表面5點(diǎn)厚度的變化。發(fā)現(xiàn)采用液體蠟貼片時(shí),加工晶片的TTV較好,蠟層的均勻性是影響晶片TTV的主要原因,蠟層厚度均勻性差會(huì)使晶片TTV變差,同時(shí)也會(huì)使晶片發(fā)生不規(guī)則的形變。并且分析了旋涂參數(shù)對(duì)液體蠟蠟層均勻性的影響。結(jié)果表明,在滴蠟時(shí)間為2.3 s、低速旋轉(zhuǎn)速度為700 r/min、低速旋轉(zhuǎn)時(shí)間為6 s、高速旋轉(zhuǎn)速度為3 000 r/min、高速旋轉(zhuǎn)時(shí)間為7 s的條件下,貼片表面5個(gè)點(diǎn)的厚度偏差小于2μm,加工晶片的TTV小于5μm。 

【文章來(lái)源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2020,45(08)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
    2.1 蠟的種類對(duì)晶片總厚度變化的影響
    2.2 粘蠟參數(shù)對(duì)蠟層厚度均勻性的影響
        2.2.1 滴蠟量
        2.2.2 甩蠟
            2.2.2.1 高速旋轉(zhuǎn)時(shí)間
            2.2.2.2 高速旋轉(zhuǎn)速度
    2.3 貼片工藝對(duì)晶片翹曲度的影響
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]SiC晶片不同晶面的CMP拋光效果對(duì)比研究[J]. 陳國(guó)美,倪自豐,錢(qián)善華,劉遠(yuǎn)祥,杜春寬,周凌,徐伊岑,趙永武.  人工晶體學(xué)報(bào). 2019(01)
[2]鉭酸鋰單晶片幾何參數(shù)控制技術(shù)研究[J]. 楊洪星,王雄龍,楊靜,范紅娜,李明佳.  壓電與聲光. 2018(06)
[3]3英寸SiC襯底無(wú)架行星式雙面拋光運(yùn)動(dòng)學(xué)分析[J]. 張鵬,馮顯英,楊靜芳.  功能材料. 2015(18)
[4]旋涂法制備功能薄膜的研究進(jìn)展[J]. 王東,劉紅纓,賀軍輝,劉林林.  影像科學(xué)與光化學(xué). 2012(02)
[5]襯底基片表面加工變形問(wèn)題研究[J]. 周海,王黛萍,陳西府.  鹽城工學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2009(03)

博士論文
[1]硅片化學(xué)機(jī)械拋光中材料去除非均勻性研究[D]. 孫禹輝.大連理工大學(xué) 2011



本文編號(hào)：3153675