嘗試采用三種方式來(lái)平衡載流子的濃度,以提高量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）的外量子效率等性能:在正裝結(jié)構(gòu)（ITO/HIL/HTL/QD/ETL/EIL/金屬陰極）的QLED的發(fā)光層和電子傳輸層中間插入超薄聚甲基丙烯酸甲脂（PMMA）電子阻擋層;在空穴注入和傳輸層方面,通過(guò)使用更加優(yōu)化的HIL等來(lái)提高空穴注入和傳輸幾率;在QD發(fā)光層方面,用短鏈配體來(lái)置換量子點(diǎn)的長(zhǎng)鏈配體以增加載流子向量子點(diǎn)發(fā)光層中的傳輸效率等。在進(jìn)行量子點(diǎn)配體交換的同時(shí)帶來(lái)了量子點(diǎn)在正交溶劑中的可溶性?xún)?yōu)勢(shì),有利于QLED器件的全溶液法制備。 

【文章來(lái)源】：半導(dǎo)體光電. 2020,41(05)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
    1.1 實(shí)驗(yàn)材料
    1.2 器件制備
        1.2.1 基板清洗
        1.2.2 含PMMA電子阻擋層的QLED制備
        1.2.3 以NiO,NiO∶Mg為HIL材料的QLED器件制備
        1.2.4 以3-巰基丙酸（MPA）和11-磺酰癸烯酸（MUA）做配體的量子點(diǎn)QLED器件制備
2 討論與分析
    2.1 PMMA電子阻擋層對(duì)QLED器件的影響
    2.2 NiO,NiO∶Mg作為HIL材料對(duì)QLED器件的影響
    2.3 量子點(diǎn)材料改性的新嘗試———巰基酸功能配體交換
3 結(jié)論



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