在科技迅速發(fā)展的同時(shí),電磁干擾情況日益嚴(yán)重,此外電子設(shè)備內(nèi)部各個(gè)器件之間的干擾情況也在不斷加重。電流鏡屬于電路的重要構(gòu)成部分,為提高電路電磁兼容性,需提升電流源抗電磁干擾能力。電流模式電路的運(yùn)行速度較高,且動(dòng)態(tài)范圍較大,因而其在電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。作為電流模式電路的重要組成部分——電流鏡的性能將直接影響其運(yùn)行情況。若電磁干擾信號(hào)進(jìn)入電流鏡中,與電流鏡輸出端連接在一起的設(shè)備都將受電磁信號(hào)的影響;若電磁干擾信號(hào)進(jìn)入MOS管,則電流鏡輸出端可能出現(xiàn)直流偏移情況,嚴(yán)重的甚至?xí)绊戨娐返恼＿\(yùn)行。研究發(fā)現(xiàn),通過分析、優(yōu)化直流反饋結(jié)構(gòu)、低通濾波結(jié)構(gòu)等結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)優(yōu)化電流鏡結(jié)構(gòu)的目標(biāo)。通過T-Spice仿真研究可發(fā)現(xiàn),抗電磁干擾電流鏡的抗電磁干擾能力較強(qiáng),且電路運(yùn)行穩(wěn)定性較高。 

【文章來源】：山東農(nóng)業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020,51(02)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
1 電流模式電路
    1.1 電磁兼容性
    1.2 T-spice與MOS管的spice模型
2 抗電磁干擾鏡像電流源特點(diǎn)
3 新型抗電磁干擾電流鏡設(shè)計(jì)探究
    3.1 主電路
    3.2 高精度低功耗設(shè)計(jì)
    3.3 新型電流鏡及直流反饋電流鏡的對(duì)比
    3.4 新型電流鏡與低通濾波電流鏡的對(duì)比
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]PFM開關(guān)電源集成電路的抗電磁干擾設(shè)計(jì)[J]. 居水榮,王津飛,石徑,張子豪.  半導(dǎo)體技術(shù). 2017(08)
[2]互補(bǔ)式金氧半（CMOS）集成電路的靜電放電防護(hù)方法研究[J]. 夏繼軍.  激光雜志. 2017(06)
[3]激光接收器的CMOS電路節(jié)能控制器的設(shè)計(jì)[J]. 李琴.  激光雜志. 2016(11)
[4]一種基于0.18μm CMOS的X射線聚焦光學(xué)信號(hào)采集電路設(shè)計(jì)[J]. 農(nóng)高海,吳再群.  科技通報(bào). 2016(08)
[5]無運(yùn)放高階溫度補(bǔ)償?shù)幕鶞?zhǔn)電路設(shè)計(jì)[J]. 陳忠學(xué),唐杰,章國豪.  固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2016(02)

碩士論文
[1]128×128元非制冷紅外焦平面結(jié)型探測(cè)器陣列信號(hào)讀出關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)[D]. 劉強(qiáng).北京交通大學(xué) 2017



本文編號(hào)：3148925