當(dāng)今世界信息技術(shù)的快速發(fā)展是離不開(kāi)非易失性存儲(chǔ)器件性能的不斷提高的。為了獲得性能更加優(yōu)異的存儲(chǔ)器,大量的研究者都在找尋常規(guī)存儲(chǔ)器的替代品。在研究中發(fā)現(xiàn),許多氧化物材料中都存在著電阻開(kāi)關(guān)的現(xiàn)象,大部分都具有能夠應(yīng)用于非易失性阻變存儲(chǔ)器（ReRAM）中的潛能。其中傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器的機(jī)制可以分為兩類,一類是離子機(jī)制,而另一類是電子機(jī)制,和離子機(jī)制相比較,電子機(jī)制的阻變效應(yīng)占據(jù)著主要的位置。但是一般的電阻開(kāi)關(guān)的電子機(jī)制都與器件的缺陷有關(guān),然而缺陷是不容易控制的,這也是傳統(tǒng)的阻變開(kāi)關(guān)材料沒(méi)有實(shí)現(xiàn)廣泛商用的原因之一。鐵電/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)在近年來(lái)是一個(gè)熱門(mén)的器件結(jié)構(gòu)應(yīng)用,它不僅擁有界面效應(yīng)而且還具有可調(diào)節(jié)的光子帶隙,因此,此結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和研究逐漸成為一個(gè)新的熱點(diǎn)。異質(zhì)結(jié)中所包含的半導(dǎo)體材料的自發(fā)晶格偏振為鐵電狀態(tài)的變化提供了一個(gè)附加的自由度。在近幾年,鐵電/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)作為一種電阻開(kāi)關(guān)器件已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)擁有巨大的開(kāi)關(guān)比,其主要原因是它的勢(shì)壘高度和寬度是可以同時(shí)調(diào)節(jié)的。憶阻器可以由多種材料以及多種的結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)成,而一個(gè)典型的憶阻器是由類電容或平行的金屬-氧化物-金屬（MIM）結(jié)構(gòu)組成的。BaTiO3是一種... 

【文章來(lái)源】：河南大學(xué)河南省

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【部分圖文】：

纖鋅礦型結(jié)構(gòu)

鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FFET）存儲(chǔ)器它具更為簡(jiǎn)單，并且還存在著存儲(chǔ)的速度和的重要的發(fā)展方向與大勢(shì)所趨。FFET 中的，并且它是通過(guò)柵極極化狀態(tài)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)大小以便用來(lái)讀取存儲(chǔ)信息的一電材料的一些具體應(yīng)用。）的性質(zhì)構(gòu)性熔融化合物，熔點(diǎn)是 1618°C。它在 BaTiO3是屬于非鐵電的六方晶系 6/mm處于穩(wěn)定狀態(tài)的。而在 1460~130°C 溫。如圖 1-2 所示。

電介質(zhì)的總共有三種電極化方式，分別是移極化。對(duì)于 BaTiO3，經(jīng)過(guò)物理學(xué)家的嚴(yán)主要是來(lái)自于 Ti4+的離子位移的極化，以數(shù)的 BaTiO3晶胞組成的。當(dāng)立方 BaTiO3發(fā)極化的現(xiàn)象，并進(jìn)行立方相向四方相的分相互臨近的晶胞，是沿原來(lái)立方晶胞的臨近的晶胞，它們可能會(huì)沿著原立方晶胞成四方相后，晶體就會(huì)出現(xiàn)晶胞小單元，晶胞小單元為電疇。也就是說(shuō)，當(dāng)降低溫極化，而自發(fā)極化它會(huì)引起表面靜電相互BaTiO3的極化是隨著電場(chǎng)的變化而變化的，如圖 1-3 所示。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[2]寬禁帶電力電子器件研發(fā)新進(jìn)展[J]. 陳治明.  機(jī)械制造與自動(dòng)化. 2005(06)
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博士論文
[1]ZnO薄膜制備及性質(zhì)研究[D]. 馬勇.重慶大學(xué) 2004

碩士論文
[1]ZnO透明導(dǎo)電薄膜和Se摻ZnO納米材料的制備及其光電性能的研究[D]. 王昊午.河南大學(xué) 2012
[2]磁控濺射沉積氮化鋁薄膜及其光學(xué)性能的研究[D]. 李海翼.南昌大學(xué) 2010



本文編號(hào)：3144719