鋁鎵氮光陰極像增強(qiáng)器極限分辨力影響因素研究
發(fā)布時(shí)間:2021-04-12 09:27
針對鋁鎵氮光陰極像增強(qiáng)器極限分辨力遠(yuǎn)小于同結(jié)構(gòu)類型砷化鎵光陰極像增強(qiáng)器極限分辨力的問題,基于紫外光激發(fā)熒光粉發(fā)光的特性,搭建了鋁鎵氮光陰極的紫外光傳輸特性評測裝置,對鋁鎵氮光陰極紫外光傳輸特性進(jìn)行了測量,并依據(jù)非衍射光學(xué)系統(tǒng)傳函方程推算了鋁鎵氮光陰極的紫外光學(xué)傳遞函數(shù);依據(jù)近貼聚焦系統(tǒng)調(diào)制傳遞函數(shù)方程,并基于制備的鋁鎵氮光陰極像增強(qiáng)器的分辨力測試數(shù)據(jù),推導(dǎo)了鋁鎵氮光陰極像增強(qiáng)器的前近貼聚焦系統(tǒng)調(diào)制傳遞函數(shù)方程;通過對比研究鋁鎵氮光陰極的紫外光調(diào)制傳遞函數(shù)方程和鋁鎵氮光陰極像增強(qiáng)管的前近貼聚焦系統(tǒng)調(diào)制傳遞函數(shù)方程對系統(tǒng)傳函影響的比例權(quán)重,提出紫外光在鋁鎵氮光陰極內(nèi)部傳輸時(shí)紫外光散射,以及紫外光激發(fā)載流子在鋁鎵氮激活層中的散射和發(fā)射電子散射均是造成鋁鎵氮光陰極像增強(qiáng)管極限分辨力低的因素,且紫外光激發(fā)載流子在鋁鎵氮激活層中的散射和發(fā)射電子散射是最主要的影響因素。
【文章來源】:紅外技術(shù). 2020,42(08)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
像增強(qiáng)管結(jié)構(gòu)示意圖
因在實(shí)際工藝中,兩種像增強(qiáng)管的差異僅為光陰極,其幾何參數(shù)中除了L1存在差異外,其余幾何參數(shù)均一致,因此表1中僅給出了L1有差異時(shí)的情況。但實(shí)際制備的Al Ga N光陰極像增強(qiáng)管,即使其第一近貼距離參數(shù)L1達(dá)到0.13 mm,像管的其他參數(shù)按照表1所述設(shè)定,制備像管的分辨力遠(yuǎn)低于61 lp/mm的計(jì)算值。表2為項(xiàng)目研制期間制備的部分像管分辨力測試值。
通過對比表1中按照砷化鎵光陰極像管分辨力模型計(jì)算鋁鎵氮光陰極像管得到的理論分辨力值與表2中鋁鎵氮光陰極像管實(shí)測分辨力值的數(shù)據(jù)可知,分辨力理論計(jì)算值近乎為實(shí)測值的2倍,Ga As光陰極微光像增強(qiáng)管的調(diào)制傳遞函數(shù)方程無法直接在Al Ga N光陰極像增強(qiáng)管中應(yīng)用。由于這兩種像增強(qiáng)管的差異僅為光陰極材料的差異,因此對于AlGaN光陰極像增強(qiáng)管分辨力特性研究時(shí),可借鑒Ga As光陰極微光像增強(qiáng)管關(guān)于MTFMCP(f)、MTF2(f)、MTF屏(f)這3項(xiàng)數(shù)學(xué)方程,需要對MTF陰極(f)、MTF1(f)這兩項(xiàng)數(shù)學(xué)方程重新確定,即紫外光在AlGaN光陰極內(nèi)部傳輸?shù)纳⑸涮匦,及紫外光激發(fā)載流子在AlGaN激活層的散射和發(fā)射電子散射需要重新進(jìn)行研究。2 紫外光在鋁鎵氮光陰極內(nèi)部散射特性研究
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]GaN光電陰極的研究及其發(fā)展[J]. 李飆,常本康,徐源,杜曉晴,杜玉杰,王曉暉,張俊舉. 物理學(xué)報(bào). 2011(08)
[2]負(fù)電子親和勢GaN光電陰極的研究進(jìn)展[J]. 付小倩,常本康,李飆,王曉暉,喬建良. 物理學(xué)報(bào). 2011(03)
[3]GaN負(fù)電子親和勢光電陰極的激活改進(jìn)研究[J]. 曾正清,李朝木,王寶林,李峰. 真空與低溫. 2010(02)
[4]NEA GaN光電陰極表面模型研究[J]. 喬建良,牛軍,楊智,鄒繼軍,常本康. 光學(xué)技術(shù). 2009(01)
[5]GaN負(fù)電子親和勢光電陰極材料的生長研究[J]. 李朝木,曾正清,陳群霞. 真空與低溫. 2008(04)
[6]三代微光像增強(qiáng)器分辨力計(jì)算理論模型[J]. 程耀進(jìn),向世明,師宏立. 應(yīng)用光學(xué). 2007(05)
[7]負(fù)電子親和勢氮化鎵光電陰極[J]. 李慧蕊,申屠軍,戴麗英,馬建一. 光電子技術(shù). 2007(02)
博士論文
[1]GaAs光電陰極及像增強(qiáng)器的分辨力研究[D]. 任玲.南京理工大學(xué) 2013
本文編號:3133064
【文章來源】:紅外技術(shù). 2020,42(08)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
像增強(qiáng)管結(jié)構(gòu)示意圖
因在實(shí)際工藝中,兩種像增強(qiáng)管的差異僅為光陰極,其幾何參數(shù)中除了L1存在差異外,其余幾何參數(shù)均一致,因此表1中僅給出了L1有差異時(shí)的情況。但實(shí)際制備的Al Ga N光陰極像增強(qiáng)管,即使其第一近貼距離參數(shù)L1達(dá)到0.13 mm,像管的其他參數(shù)按照表1所述設(shè)定,制備像管的分辨力遠(yuǎn)低于61 lp/mm的計(jì)算值。表2為項(xiàng)目研制期間制備的部分像管分辨力測試值。
通過對比表1中按照砷化鎵光陰極像管分辨力模型計(jì)算鋁鎵氮光陰極像管得到的理論分辨力值與表2中鋁鎵氮光陰極像管實(shí)測分辨力值的數(shù)據(jù)可知,分辨力理論計(jì)算值近乎為實(shí)測值的2倍,Ga As光陰極微光像增強(qiáng)管的調(diào)制傳遞函數(shù)方程無法直接在Al Ga N光陰極像增強(qiáng)管中應(yīng)用。由于這兩種像增強(qiáng)管的差異僅為光陰極材料的差異,因此對于AlGaN光陰極像增強(qiáng)管分辨力特性研究時(shí),可借鑒Ga As光陰極微光像增強(qiáng)管關(guān)于MTFMCP(f)、MTF2(f)、MTF屏(f)這3項(xiàng)數(shù)學(xué)方程,需要對MTF陰極(f)、MTF1(f)這兩項(xiàng)數(shù)學(xué)方程重新確定,即紫外光在AlGaN光陰極內(nèi)部傳輸?shù)纳⑸涮匦,及紫外光激發(fā)載流子在AlGaN激活層的散射和發(fā)射電子散射需要重新進(jìn)行研究。2 紫外光在鋁鎵氮光陰極內(nèi)部散射特性研究
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]GaN光電陰極的研究及其發(fā)展[J]. 李飆,常本康,徐源,杜曉晴,杜玉杰,王曉暉,張俊舉. 物理學(xué)報(bào). 2011(08)
[2]負(fù)電子親和勢GaN光電陰極的研究進(jìn)展[J]. 付小倩,常本康,李飆,王曉暉,喬建良. 物理學(xué)報(bào). 2011(03)
[3]GaN負(fù)電子親和勢光電陰極的激活改進(jìn)研究[J]. 曾正清,李朝木,王寶林,李峰. 真空與低溫. 2010(02)
[4]NEA GaN光電陰極表面模型研究[J]. 喬建良,牛軍,楊智,鄒繼軍,常本康. 光學(xué)技術(shù). 2009(01)
[5]GaN負(fù)電子親和勢光電陰極材料的生長研究[J]. 李朝木,曾正清,陳群霞. 真空與低溫. 2008(04)
[6]三代微光像增強(qiáng)器分辨力計(jì)算理論模型[J]. 程耀進(jìn),向世明,師宏立. 應(yīng)用光學(xué). 2007(05)
[7]負(fù)電子親和勢氮化鎵光電陰極[J]. 李慧蕊,申屠軍,戴麗英,馬建一. 光電子技術(shù). 2007(02)
博士論文
[1]GaAs光電陰極及像增強(qiáng)器的分辨力研究[D]. 任玲.南京理工大學(xué) 2013
本文編號:3133064
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