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鋁鎵氮光陰極像增強器極限分辨力影響因素研究

發(fā)布時間:2021-04-12 09:27
  針對鋁鎵氮光陰極像增強器極限分辨力遠小于同結構類型砷化鎵光陰極像增強器極限分辨力的問題,基于紫外光激發(fā)熒光粉發(fā)光的特性,搭建了鋁鎵氮光陰極的紫外光傳輸特性評測裝置,對鋁鎵氮光陰極紫外光傳輸特性進行了測量,并依據(jù)非衍射光學系統(tǒng)傳函方程推算了鋁鎵氮光陰極的紫外光學傳遞函數(shù);依據(jù)近貼聚焦系統(tǒng)調制傳遞函數(shù)方程,并基于制備的鋁鎵氮光陰極像增強器的分辨力測試數(shù)據(jù),推導了鋁鎵氮光陰極像增強器的前近貼聚焦系統(tǒng)調制傳遞函數(shù)方程;通過對比研究鋁鎵氮光陰極的紫外光調制傳遞函數(shù)方程和鋁鎵氮光陰極像增強管的前近貼聚焦系統(tǒng)調制傳遞函數(shù)方程對系統(tǒng)傳函影響的比例權重,提出紫外光在鋁鎵氮光陰極內部傳輸時紫外光散射,以及紫外光激發(fā)載流子在鋁鎵氮激活層中的散射和發(fā)射電子散射均是造成鋁鎵氮光陰極像增強管極限分辨力低的因素,且紫外光激發(fā)載流子在鋁鎵氮激活層中的散射和發(fā)射電子散射是最主要的影響因素。 

【文章來源】:紅外技術. 2020,42(08)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】:6 頁

【部分圖文】:

鋁鎵氮光陰極像增強器極限分辨力影響因素研究


像增強管結構示意圖

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因在實際工藝中,兩種像增強管的差異僅為光陰極,其幾何參數(shù)中除了L1存在差異外,其余幾何參數(shù)均一致,因此表1中僅給出了L1有差異時的情況。但實際制備的Al Ga N光陰極像增強管,即使其第一近貼距離參數(shù)L1達到0.13 mm,像管的其他參數(shù)按照表1所述設定,制備像管的分辨力遠低于61 lp/mm的計算值。表2為項目研制期間制備的部分像管分辨力測試值。

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通過對比表1中按照砷化鎵光陰極像管分辨力模型計算鋁鎵氮光陰極像管得到的理論分辨力值與表2中鋁鎵氮光陰極像管實測分辨力值的數(shù)據(jù)可知,分辨力理論計算值近乎為實測值的2倍,Ga As光陰極微光像增強管的調制傳遞函數(shù)方程無法直接在Al Ga N光陰極像增強管中應用。由于這兩種像增強管的差異僅為光陰極材料的差異,因此對于AlGaN光陰極像增強管分辨力特性研究時,可借鑒Ga As光陰極微光像增強管關于MTFMCP(f)、MTF2(f)、MTF屏(f)這3項數(shù)學方程,需要對MTF陰極(f)、MTF1(f)這兩項數(shù)學方程重新確定,即紫外光在AlGaN光陰極內部傳輸?shù)纳⑸涮匦,及紫外光激發(fā)載流子在AlGaN激活層的散射和發(fā)射電子散射需要重新進行研究。2 紫外光在鋁鎵氮光陰極內部散射特性研究

【參考文獻】:
期刊論文
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[4]NEA GaN光電陰極表面模型研究[J]. 喬建良,牛軍,楊智,鄒繼軍,常本康.  光學技術. 2009(01)
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[6]三代微光像增強器分辨力計算理論模型[J]. 程耀進,向世明,師宏立.  應用光學. 2007(05)
[7]負電子親和勢氮化鎵光電陰極[J]. 李慧蕊,申屠軍,戴麗英,馬建一.  光電子技術. 2007(02)

博士論文
[1]GaAs光電陰極及像增強器的分辨力研究[D]. 任玲.南京理工大學 2013



本文編號:3133064

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